检测项目

1.正向压降（VF）：额定电流下0.7V-1.2V范围测量
2.反向击穿电压（VBR）：≥标称值1.5倍压力测试
3.漏电流（IR）：反向偏置时≤10μA@25℃/≤100μA@125℃
4.热阻（Rth）：结到外壳≤1.5℃/W
5.浪涌电流（IFSM）：单次脉冲10ms内≥标称值200%

检测范围

1.硅基整流堆（SiRectifierStack）
2.快恢复二极管整流堆（FRDStack）
3.肖特基整流堆（SchottkyBarrierStack）
4.高压整流桥模块（≥1000V）
5.汽车电子用耐高温整流组件（-40℃~175℃）

检测方法

1.GB/T4023-2015《半导体器件分立器件和集成电路》第7部分
2.IEC60747-1:2006半导体器件通用标准
3.ASTMB809-95(2021)电子元件湿热试验方法
4.JESD22-A108F温度循环测试规范
5.MIL-STD-750E军用半导体试验方法

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：IV特性/动态参数测试
2.TektronixDMM4040六位半数字万用表：精密电参数测量
3.Chroma19032功率循环测试系统：热特性评估
4.ESPECPL-3K环境试验箱：-70℃~180℃温变测试
5.FLIRT865热成像仪：非接触式温度分布监测
6.HIOKIPW3390功率分析仪：效率与损耗测量
7.Agilent4294A阻抗分析仪：寄生参数提取
8.ThermoScientificCL24盐雾试验箱：耐腐蚀性能验证
9.MitutoyoLSM-5000激光测微仪：封装尺寸精度检测
10.EMTESTUCS500N浪涌发生器：瞬态抗扰度测试

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与整流堆检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。