检测项目

1.反向击穿电压（V_BR）：测试范围500V-20kV1%
2.正向压降（V_F）：测量精度0.05V@I_F=10A
3.漏电流（I_R）：分辨率0.1μA@V_R=80%V_BR
4.温度特性：-55℃~+175℃温控精度0.5℃
5.恢复时间（t_rr）：纳秒级测量误差≤3%

检测范围

1.硅基高压整流堆（10kV/100A级）
2.快恢复二极管模块（t_rr≤50ns）
3.肖特基整流组件（V_F≤0.6V）
4.桥式整流器（三相/单相拓扑结构）
5.高频开关电源用整流模组（f≥100kHz）

检测方法

1.ASTMF123-2018热阻测试法
2.IEC60747-5半导体分立器件通用规范
3.GB/T4023-2015半导体器件反向阻断三极晶闸管测试方法
4.ISO16750-4道路车辆电气环境条件试验标准
5.MIL-STD-750F军用半导体器件试验方法

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪（200A/3kV脉冲测试）
2.TektronixAFG31000系列任意波形发生器（1GHz带宽）
3.Chroma19032功率循环试验机（ΔTj=125K耐久测试）
4.ESPECPL-3KPH恒温恒湿箱（温变速率15℃/min）
5.HiokiST4030浪涌测试仪（8/20μs波形生成）
6.FlukeTi480红外热像仪（热分布分析）
7.Agilent4294A精密阻抗分析仪（C-V特性测量）
8.GWInstekLCR-8105G漏电流测试仪（0.1pA分辨率）
9.HIOKIPW3390功率分析仪（0.05%基本精度）
10.ThermoScientificCL24盐雾试验箱（NSS/AASS/CASS模式）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与整流硅堆检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。