检测项目
1.膜层厚度：测量范围5-500nm，精度0.5nm（台阶仪法）
2.折射率：测试波长632.8nm条件下n值1.45-1.48（椭偏仪测量）
3.均匀性：面内厚度偏差≤3%（多点扫描分析）
4.密度：2.15-2.25g/cm（XRR法测定）
5.介电常数：频率1MHz时k值3.8-4.2（阻抗分析仪测试）
检测范围
1.半导体晶圆二氧化硅绝缘层（SiO₂层厚10-200nm）
2.光学镀膜玻璃增透膜（多层SiO₂复合结构）
3.光伏电池表面钝化层（PECVD沉积SiO₂膜）
4.MEMS器件保护层（LPCVD制备SiO₂薄膜）
5.医疗器械表面生物惰性涂层（磁控溅射SiO₂薄膜）
检测方法
ASTMF1210：椭偏仪测定透明薄膜厚度标准规程
ISO14707：X射线光电子能谱（XPS）成分分析方法
GB/T16526-2017：半导体薄膜应力测试规范
ISO21283：原子力显微镜（AFM）表面粗糙度测量
GB/T34879-2017：纳米薄膜介电性能测试方法
检测设备
FilmetricsF20型光谱椭偏仪：实现1-1000nm膜厚测量及光学常数分析
BrukerDektakXT台阶仪：0.1分辨率表面形貌测量系统
ThermoScientificK-AlphaXPS：元素成分及化学态分析系统
Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz介电特性测试平台
VeecoDimensionIcon原子力显微镜：0.1nm分辨率三维形貌表征
RigakuSmartLabX射线衍射仪：薄膜晶体结构分析系统
HoribaUVISEL2分光光度计：190-2100nm光谱反射/透射测试
KLATencorSurfscanSP3：无接触式表面缺陷检测系统
OxfordInstrumentsPlasmaPro100：膜层刻蚀速率测试装置
J.A.WoollamM-2000V可变角椭偏仪：70入射角精密光学测量系统