检测项目

1.晶体取向偏差：采用X射线衍射法测定（偏差角≤0.5）
2.位错密度分析：通过化学腐蚀法测量（密度范围10-10⁶cm⁻）
3.杂质元素浓度：GD-MS检测（检出限0.01-100ppm）
4.晶格常数测定：高分辨XRD测量（精度0.0001nm）
5.表面粗糙度：白光干涉仪测试（Ra≤0.1μm）
6.电阻率均匀性：四探针法多点测量（波动率＜3%）

检测范围

1.半导体单晶：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)
2.激光晶体：掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)、钛宝石(Ti:Al₂O₃)
3.光学晶体：氟化钙(CaF₂)、铌酸锂(LiNbO₃)
4.超导晶体：钇钡铜氧(YBCO)、二硼化镁(MgB₂)
5.压电晶体：石英(SiO₂)、锗酸铋(BGO)

检测方法

1.ASTME915：X射线衍射残余应力测试标准
2.ISO14707：辉光放电质谱元素分析规程
3.GB/T1554：半导体单晶位错腐蚀检验方法
4.GB/T14144：硅单晶中氧碳含量测定
5.ISO14606：电子背散射衍射(EBSD)分析通则
6.ASTMF76：半导体材料电阻率测试规范

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：全自动高分辨晶体结构分析
2.ThermoScientificApreo2SEM：纳米级表面形貌与EBSD联用系统
3.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：亚埃级表面粗糙度测量
4.Agilent7900ICP-MS：痕量元素定量分析（ppb级）
5.Keithley4200A-SCS参数分析仪：电学特性综合测试平台
6.ZygoNewView9000白光干涉仪：非接触式三维形貌表征
7.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器：晶体取向自动标定系统
8.HoribaGD-Profiler2辉光放电质谱仪：深度剖面元素分析
9.FourDimensions4D-300探针台：高精度电阻率分布测试
10.LeicaDM2700M金相显微镜：缺陷腐蚀观测（5000倍光学放大）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与单晶生长检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。