检测项目

电子平均自由程：0.1-100 nm范围，温度范围4-300K

声子平均自由程：1-1000 nm，热导率测量精度±2%

薄膜厚度均匀性：分辨率达0.1nm，检测面积≥100μm²

材料缺陷密度：检测下限≤10^8 cm⁻³，定位精度±50nm

载流子迁移率：测量范围10⁻⁴-10⁴ cm²/(V·s)，电场强度0.1-10 kV/cm

检测范围

半导体材料：硅、GaN、SiC晶圆及外延片

纳米薄膜材料：石墨烯、二硫化钼、氮化硼薄膜

金属及合金：铜互连层、铝基复合材料

复合材料：碳纤维增强聚合物、陶瓷基复合材料

功能陶瓷：压电陶瓷、热电转换材料

检测方法

ASTM F76-08(2016)：半导体材料载流子迁移率测试

ISO 22007-6:2014：纳米材料热扩散系数测定

GB/T 23444-2009：金属基复合材料界面特性分析

GB/T 15749-2008：材料缺陷密度X射线检测方法

ISO 14707:2015：表面分析用辉光放电光谱法

检测设备

四探针电阻率测试仪：Lucas Labs Pro4，测量范围10⁻⁶-10⁶ Ω·cm

扫描电子显微镜：JEOL JSM-IT800，分辨率0.8nm@15kV

X射线衍射仪：Bruker D8 Advance，角度重复性±0.0001°

原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，扫描范围90μm×90μm

霍尔效应测试系统：Lake Shore 8400，磁场强度±2.2T