检测项目
电子平均自由程：0.1-100 nm范围，温度范围4-300K
声子平均自由程：1-1000 nm，热导率测量精度±2%
薄膜厚度均匀性：分辨率达0.1nm，检测面积≥100μm²
材料缺陷密度：检测下限≤10^8 cm⁻³，定位精度±50nm
载流子迁移率：测量范围10⁻⁴-10⁴ cm²/(V·s)，电场强度0.1-10 kV/cm
检测范围
半导体材料：硅、GaN、SiC晶圆及外延片
纳米薄膜材料：石墨烯、二硫化钼、氮化硼薄膜
金属及合金：铜互连层、铝基复合材料
复合材料：碳纤维增强聚合物、陶瓷基复合材料
功能陶瓷：压电陶瓷、热电转换材料
检测方法
ASTM F76-08(2016)：半导体材料载流子迁移率测试
ISO 22007-6:2014：纳米材料热扩散系数测定
GB/T 23444-2009：金属基复合材料界面特性分析
GB/T 15749-2008：材料缺陷密度X射线检测方法
ISO 14707:2015：表面分析用辉光放电光谱法
检测设备
四探针电阻率测试仪：Lucas Labs Pro4，测量范围10⁻⁶-10⁶ Ω·cm
扫描电子显微镜：JEOL JSM-IT800，分辨率0.8nm@15kV
X射线衍射仪：Bruker D8 Advance，角度重复性±0.0001°
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，扫描范围90μm×90μm
霍尔效应测试系统：Lake Shore 8400，磁场强度±2.2T