短沟效应检测

检测项目

1.阈值电压漂移（VthShift）：测量50mV精度范围内的电压偏移量
2.漏电流变化率（IoffVariation）：分辨率达0.1pA/μm的亚阈值漏电监测
3.跨导退化（GmDegradation）：记录0.01mS/mm量级的跨导值衰减
4.迁移率衰减（μeffReduction）：采用四探针法测定载流子迁移率变化≥5%
5.热载流子注入效应（HCI）：施加Vdd1.5倍应力电压进行加速老化测试

检测范围

1.28nm以下FinFET工艺节点半导体器件
2.SOI（绝缘体上硅）基射频集成电路
3.GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）
4.三维堆叠封装TSV互连结构
5.柔性电子用氧化物薄膜晶体管（TFT）

检测方法

1.ASTMF1244-21《半导体器件漏电流测试标准规程》
2.ISO16700:2020《扫描电镜定量分析方法》
3.GB/T16525-2017《半导体集成电路封装可靠性试验方法》
4.JEDECJESD22-A117E《热载流子注入测试规范》
5.IEC60749-34:2021《半导体器件机械与气候试验方法》

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持DC-IV/CV/脉冲模式测量
2.HitachiSU8200冷场发射扫描电镜：0.8nm@15kV分辨率沟道形貌表征
3.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：PeakForceTapping模式表面电势成像
4.ThermoFisherELITE-TDS瞬态热阻测试系统：μs级时间分辨率热特性分析
5.CascadeSummit12000探针台：支持300mm晶圆级HCI测试
6.Keithley4200-SCS参数分析系统：集成SMU模块的I-V曲线测试
7.AgilentE5270B精密源表：100aA级超低电流测量能力
8.FEITitanG2透射电镜：原子级沟道界面缺陷观测
9.AdvantestT2000SoC测试机：支持32通道并行参数采集
10.OxfordInstrumentsPlasmaPro100刻蚀机：纳米级沟道剖面制备

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"短沟效应检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。