检测项目

1.正向压降（VF）：测试电流1A条件下典型值0.7-1.2V

2.反向击穿电压（VBR）：测量范围50-2000V@反向漏电流10μA

3.反向漏电流（IR）：25℃/125℃环境下测试@额定VR的80%

4.结电容（Cj）：频率1MHz时测量值0.5-50pF

5.热阻（RθJC）：功率循环法测试结到外壳热阻≤3℃/W

检测范围

1.硅基合金结整流二极管（1N400x系列）

2.锗基合金结检波二极管（1N60系列）

3.快恢复合金结二极管（FR30x系列）

4.肖特基合金结二极管（BAT54系列）

5.高频微波合金结二极管（HSMS-28xx系列）

检测方法

GB/T4023-2015《半导体器件分立器件第2部分：整流二极管》

IEC60747-1:2006《半导体器件分立器件通用规范》

ASTMF3603-22《半导体器件热特性测试标准》

JEDECJESD22-A108E《温度循环可靠性测试》

GB/T4937-2012《半导体器件机械和气候试验方法》

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：VF/VBR/IR综合测试

TektronixDMM7510高精度万用表：μA级漏电流测量

Agilent4294A阻抗分析仪：Cj参数频率特性分析

ThermoScientificT3Ster热阻测试系统：RθJC动态测量

ESPECPCT-322气候试验箱：温度循环(-65℃~150℃)

OlympusMX63金相显微镜：合金层厚度(10-200μm)观测

Chroma19032耐压测试仪：AC/DC5kV绝缘强度验证

HIOKIRM3545微电阻计：引线键合电阻(＜10mΩ)测量