检测项目
1.势垒高度测量：通过I-V曲线拟合计算φ_B值（0.3-1.5eV范围），误差≤0.02eV
2.漏电流特性分析：反向偏压1-100V条件下的漏电流密度（10^-9~10^-3A/cm）
3.界面态密度测试：采用DLTS法测量10^10~10^13cm⁻eV⁻量级缺陷浓度
4.温度依赖性研究：-196℃~300℃温区内势垒高度的温度系数（dφ_B/dT）
5.电容-电压特性：1kHz~1MHz频率范围的C⁻-V曲线斜率分析
检测范围
1.III-V族化合物半导体：GaAs、GaN、SiC等功率器件金属接触层
2.硅基肖特基二极管：Ti/WSi/Ni-Si体系界面特性
3.透明导电氧化物：ITO/ZnO、FTO/CdS异质结结构
4.二维材料器件：石墨烯/MoS₂垂直异质结界面
5.高温超导材料：YBCO/Ag电极接触特性
检测方法
ASTMF76-08(2016)：金属-半导体接触的圆形传输线测量规范
ISO18552:2015：半导体器件势垒高度的温度依赖性测试
GB/T14862-2018：半导体材料界面态密度的深能级瞬态谱测量
IEC60749-28:2017：半导体器件热载流子注入效应评估
GB/T40275-2021：宽禁带半导体肖特基势垒参数测试方法
检测设备
KeysightB1500A半导体分析仪：支持μA~10A量程的I-V/C-V精密测量
LakeShoreCRX-4K低温探针台：实现4K~500K温区的高真空环境测试
Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz~110MHz宽频介电特性分析
SUSSMicroTecPA300：接触电阻率与传输