半导体陶瓷检测概述:检测项目1.介电常数测试:频率范围1kHz-1MHz(@25℃2),精度0.5%2.击穿场强测定:DC/AC模式(0.5kV/s升压速率),测量范围0-50kV/mm3.热膨胀系数分析:温度范围-50℃~500℃,分辨率0.1μm/m℃4.体积电阻率测量:电压100V-1000V(ASTMD257),环境湿度≤30%RH5.显微结构表征:SEM观测(放大倍数10kX-100kX),晶粒尺寸分布统计6.抗弯强度测试:三点弯曲法(跨距20mm),加载速率0.5mm/min检测范围1.压电陶瓷材料:锆钛酸铅(P
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.介电常数测试:频率范围1kHz-1MHz(@25℃2),精度0.5%
2.击穿场强测定:DC/AC模式(0.5kV/s升压速率),测量范围0-50kV/mm
3.热膨胀系数分析:温度范围-50℃~500℃,分辨率0.1μm/m℃
4.体积电阻率测量:电压100V-1000V(ASTMD257),环境湿度≤30%RH
5.显微结构表征:SEM观测(放大倍数10kX-100kX),晶粒尺寸分布统计
6.抗弯强度测试:三点弯曲法(跨距20mm),加载速率0.5mm/min
1.压电陶瓷材料:锆钛酸铅(PZT)、铌镁酸铅(PMN)基体及改性体系
2.热敏陶瓷元件:NTC/PTC温度传感器用Mn-Co-Ni-O系材料
3.微波介质陶瓷:BaO-TiO₂系基板与谐振器材料
4.半导体封装陶瓷:AlN基高导热基板(CTE匹配0.5ppm/℃)
5.多层陶瓷电容器(MLCC):X7R/X5R特性介质层材料
1.ASTMD150-18介电常数与损耗角正切测试标准
2.ISO28703:2011陶瓷材料抗热震性试验方法
3.GB/T5594.3-2015电子元器件结构陶瓷体积电阻率测试规范
4.IEC60672-3:1997陶瓷绝缘材料高温电性能试验规程
5.GB/T6569-2006精细陶瓷弯曲强度试验方法
6.JISR1641:2007压电陶瓷材料参数测量标准
1.Agilent4294A精密阻抗分析仪:10Hz-110MHz频段介电特性测量
2.NetzschDIL402C热膨胀仪:-150℃~1600℃热机械性能分析
3.Instron5967万能材料试验机:50kN载荷精度机械性能测试
4.HiokiST5520表面电阻计:10~10⁶Ω体积/表面电阻测量
5.JeolJSM-7900F场发射扫描电镜:1nm分辨率显微结构观测
6.Chroma19053耐压测试仪:AC5kV/DC6kV击穿强度试验
7.LinseisLFA1000激光导热仪:0.1~2000W/mK热扩散率测定
8.MalvernMastersizer3000激光粒度仪:0.01~3500μm粒径分布分析
9.RigakuSmartLabX射线衍射仪:θ-θ结构晶体相鉴定
10.KeysightB1500A半导体参数分析仪:pA级漏电流特性测试
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与半导体陶瓷检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。