检测项目

1.载流子浓度检测：测量范围1E14~1E20cm，精度5%

2.迁移率测试：霍尔迁移率与场效应迁移率测定，分辨率0.1cm/(Vs)

3.电阻率分析：四探针法测量0.001~10000Ωcm范围

4.霍尔系数测定：磁场强度0~2T条件下测量

5.缺陷密度表征：深能级瞬态谱法(DLTS)检测缺陷浓度≥1E10cm

检测范围

1.硅基半导体材料：单晶硅/多晶硅外延片

2.III-V族化合物半导体：GaAs、InP等晶圆

3.二维半导体材料：石墨烯/二硫化钼异质结

4.有机半导体材料：P3HT/PCBM共混薄膜

5.透明导电氧化物：ITO/AZO薄膜材料

检测方法

ASTMF76-08(2020)：霍尔效应法测定载流子浓度与迁移率

ISO14707:2015：辉光放电光谱法成分分析

GB/T1551-2021：硅单晶电阻率测定规范

GB/T4325-2013：霍尔系数测量通用规则

IEC62805-2:2017：薄膜光伏组件层压测试标准

检测设备

1.Loresta-GXMCP-T700四探针电阻测试仪：薄膜电阻率测量精度0.8%

2.HMS-3000霍尔效应测试系统：支持范德堡法测量模式

3.BrukerD8AdvanceX射线衍射仪：晶格常数测定精度0.0001nm

4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面粗糙度测量分辨率0.1nm

5.CAMECAIMS7f二次离子质谱仪：元素深度分析精度3%

6.DLS-83D深能级瞬态谱仪：缺陷态密度检测限1E10cm

7.J.A.WoollamM-2000DI椭圆偏振仪：薄膜厚度测量范围1nm-10μm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与半导体层半电导电层检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。