检测项目
1.载流子浓度检测：测量范围1E14~1E20cm，精度5%
2.迁移率测试：霍尔迁移率与场效应迁移率测定，分辨率0.1cm/(Vs)
3.电阻率分析：四探针法测量0.001~10000Ωcm范围
4.霍尔系数测定：磁场强度0~2T条件下测量
5.缺陷密度表征：深能级瞬态谱法(DLTS)检测缺陷浓度≥1E10cm
检测范围
1.硅基半导体材料：单晶硅/多晶硅外延片
2.III-V族化合物半导体：GaAs、InP等晶圆
3.二维半导体材料：石墨烯/二硫化钼异质结
4.有机半导体材料：P3HT/PCBM共混薄膜
5.透明导电氧化物：ITO/AZO薄膜材料
检测方法
ASTMF76-08(2020)：霍尔效应法测定载流子浓度与迁移率
ISO14707:2015：辉光放电光谱法成分分析
GB/T1551-2021：硅单晶电阻率测定规范
GB/T4325-2013：霍尔系数测量通用规则
IEC62805-2:2017：薄膜光伏组件层压测试标准
检测设备
1.Loresta-GXMCP-T700四探针电阻测试仪：薄膜电阻率测量精度0.8%
2.HMS-3000霍尔效应测试系统：支持范德堡法测量模式
3.BrukerD8AdvanceX射线衍射仪：晶格常数测定精度0.0001nm
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面粗糙度测量分辨率0.1nm
5.CAMECAIMS7f二次离子质谱仪：元素深度分析精度3%
6.DLS-83D深能级瞬态谱仪：缺陷态密度检测限1E10cm
7.J.A.WoollamM-2000DI椭圆偏振仪：薄膜厚度测量范围1nm-10μm