闪速存储器检测

检测项目1.耐久性测试:擦写次数(P/ECycles)≥10万次@25℃/85℃,支持MLC/TLC/QLC颗粒分级验证2.数据保持能力测试:高温加速老化(85℃-125℃),数据保留时间≥10年等效模型3.电气性能测试:编程电压(Vpp=12V5%)、读取电流(≤50μA@3.3V)、静态功耗(≤5mW)4.误码率(BER)测试:原始误码率≤1E-5,纠错后≤1E-15@256位ECC5.温度循环测试:-40℃至+85℃循环1000次,功能完整性验证检测范围1.NAND闪存芯片(SLC/MLC/TLC/

原创阅读 112025-05-21工程师CMACNASISO高新技术企业

检测项目

1.耐久性测试:擦写次数(P/ECycles)≥10万次@25℃/85℃,支持MLC/TLC/QLC颗粒分级验证

2.数据保持能力测试:高温加速老化(85℃-125℃),数据保留时间≥10年等效模型

3.电气性能测试:编程电压(Vpp=12V5%)、读取电流(≤50μA@3.3V)、静态功耗(≤5mW)

4.误码率(BER)测试:原始误码率≤1E-5,纠错后≤1E-15@256位ECC

5.温度循环测试:-40℃至+85℃循环1000次,功能完整性验证

检测范围

1.NAND闪存芯片(SLC/MLC/TLC/3DNAND)

2.eMMC/UFS嵌入式存储模块

3.SSD控制器芯片及成品固态硬盘

4.工业级SD卡/CFexpress存储卡

5.车规级存储器(AEC-Q100Grade2认证)

检测方法

1.JESD22-A117E:高温存储寿命(HTSL)测试规范

2.ASTMF2182-19:非易失性存储器数据保持特性测定方法

3.GB/T26248-2010:半导体存储器耐久性试验方法

4.ISO/IEC16963:2017:可移动存储介质耐久性评估标准

5.JEDECJESD47I:应力驱动可靠性验证模型

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪:支持nA级漏电流测量及V-I曲线扫描

2.ThermoStreamT-2600温度冲击系统:-65℃至+200℃快速温变(30℃/min)

3.AdvantestT5593存储器测试机:并行测试256通道@400MHz时钟频率

4.Chroma3380P闪存烧录器:支持UFS3.1协议及ToggleDDR模式

5.ESPECSH-642恒温恒湿箱:0.5℃精度@85℃/85%RH环境模拟

6.XeltekSuperPro6100编程器:全系列NAND芯片固件烧录验证

7.TektronixDPO73304S示波器:30GHz带宽信号完整性分析

8.AgilentN6705B直流电源分析仪:μs级动态功耗监测

9.MPITS2000探针台:晶圆级可靠性(WLR)测试系统

10.HielscherUP400St超声扫描显微镜:封装内部缺陷无损检测

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
  • 资质:旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。
  • 标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
  • 非标测试:支持定制化试验方案。
  • 售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

QUALIFICATIONS

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