检测项目

氢化锗纯度分析（杂质元素含量≤0.1ppm，检测限0.01ppm）

晶体结构表征（晶格常数精度±0.001Å，相组成分析）

热稳定性测试（热分解温度范围150-300℃，TGA失重率≤2%）

表面形貌检测（粗糙度Ra≤5nm，缺陷密度＜10^3/cm²）

电学性能测定（电阻率0.1-10Ω·cm，载流子迁移率≥200cm²/V·s）

检测范围

半导体级单晶氢化锗材料

光伏用氢化锗薄膜材料（厚度50-500nm）

氢化锗纳米颗粒复合材料（粒径10-100nm）

氢化锗基光电子器件封装材料

工业级氢化锗原料（纯度≥99.99%）

检测方法

ASTM E1445-2018 氢化物化学分析方法

ISO 17340:2022 半导体材料晶体结构XRD测定规范

GB/T 32649-2016 氢化锗薄膜表面粗糙度测试方法

ISO 22007-5:2020 热重分析法测定材料热稳定性

GB/T 1551-2021 半导体材料电阻率测试规程

检测设备

X射线衍射仪（Bruker D8 Advance，晶体结构分析）

高分辨场发射电镜（JEOL JEM-ARM300F，表面形貌表征）

傅里叶红外光谱仪（Thermo Scientific iS50，化学键合分析）

同步热分析仪（NETZSCH STA 449 F5，TGA-DSC联用）

霍尔效应测试系统（Lake Shore 8404，电学参数测量）