检测项目

1.晶格常数测定：测量单胞尺寸（a,b,c轴）及夹角（α,β,γ），偏差率≤0.05%

2.元素成分分析：采用EDS/WDS定量检测主量元素（≥99.9%）及痕量杂质（ppm级）

3.位错密度评估：通过X射线形貌术测定位错线密度（10-10⁶cm⁻）

4.热膨胀系数测试：温度范围-196℃至1500℃，精度0.110⁻⁶/℃

5.介电性能表征：频率1kHz-1MHz下介电常数（εr）与损耗角（tanδ）测量

检测范围

1.半导体异质结材料：GaN/SiC、AlGaN/GaN等III-V族复合晶体

2.光学非线性晶体：KDP（磷酸二氢钾）、BBO（偏硼酸钡）等激光变频材料

3.压电复合材料：PZT（锆钛酸铅）/聚合物层状结构

4.超硬涂层晶体：金刚石/立方氮化硼多层膜

5.高温超导材料：YBCO（钇钡铜氧）基异质外延薄膜

检测方法

ASTME112-13：晶粒度测定与定量金相分析方法

ISO14707:2015：辉光放电光谱法表面成分深度剖析

GB/T1555-2021：半导体单晶晶向测定X射线衍射法

ASTMF534-19：碳化硅单晶缺陷检验规程

ISO17561:2016：微束X射线荧光光谱元素分布分析

检测设备

RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备9kW旋转阳极靶，最小步进角0.0001

ThermoFisheriCAP7400ICP-OES：波长范围166-847nm，检出限≤0.1ppb

BrukerDimensionIcon原子力显微镜：分辨率0.1nmZ轴，最大扫描范围90μm

FEIQuanta250FEG扫描电镜：配备EDAXOctaneElite能谱仪，束斑尺寸≤1nm

NetzschDIL402Expedis热膨胀仪：升温速率0.001-50K/min，真空度10⁻⁴

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与异种晶体检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。