四氢化硅检测概述:检测项目1.纯度分析:主成分SiH4含量≥99.999%(体积分数)2.水分含量:H2O≤0.5ppm(体积比)3.金属杂质:Fe≤0.1ppb、Cu≤0.05ppb(ICP-MS法)4.气体成分:O2≤1ppm、N2≤2ppm(气相色谱法)5.颗粒物浓度:≥0.1μm颗粒≤5个/m(激光粒子计数器)检测范围1.电子级四氢化硅(纯度6N以上)2.光伏用硅烷气体(AMAT认证规格)3.半导体外延生长原料(12英寸晶圆级)4.特种气体储运容器(316L不锈钢材质)5.化学气相沉积工艺尾气(含SiH4残留物)检
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1.纯度分析:主成分SiH4含量≥99.999%(体积分数)
2.水分含量:H2O≤0.5ppm(体积比)
3.金属杂质:Fe≤0.1ppb、Cu≤0.05ppb(ICP-MS法)
4.气体成分:O2≤1ppm、N2≤2ppm(气相色谱法)
5.颗粒物浓度:≥0.1μm颗粒≤5个/m(激光粒子计数器)
1.电子级四氢化硅(纯度6N以上)
2.光伏用硅烷气体(AMAT认证规格)
3.半导体外延生长原料(12英寸晶圆级)
4.特种气体储运容器(316L不锈钢材质)
5.化学气相沉积工艺尾气(含SiH4残留物)
ASTME260-2019:气相色谱法测定气体成分
ISO14644-1:2015:洁净室颗粒物测试规范
GB/T14852-2020:电子工业用气体中水分的测定
SEMIC3.41-1108:半导体级硅烷技术指标
GB/T37244-2018:高纯电子级SiH4技术要求
Agilent7890B气相色谱仪:配备TCD/FID双检测器系统
METTLERTOLEDOC30卡尔费休水分仪:分辨率0.1μgH2O
ParticleMeasuringSystemsClimetCI-3100:0.1μm级颗粒计数
ThermoScientificiCAPRQICP-MS:ppt级金属杂质分析
SiemensUltramat23红外分析仪:O2/N2在线监测模块
MKSSpectraMaxIIFTIR:气体分子结构验证系统
SystechIllinoisEC913氧分析仪:极限氧含量测定
HoribaPG-350烟气分析仪:工艺尾气多组分联测装置
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与四氢化硅检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。