检测项目
晶体结构缺陷分析（晶格畸变率≤0.15%，晶面间距偏差≤0.02Å）
位错密度检测（分辨率≥10³ cm⁻²，误差范围±5%）
点缺陷浓度测定（检测限0.1 ppm，能谱分辨率≤1.0 eV）
晶界特性表征（晶界角测量精度±0.5°，相纯度≥99.9%）
表面缺陷检测（检测尺度≥10 nm，三维重构精度±2 nm）
检测范围
半导体材料：硅单晶、砷化镓、氮化镓晶圆
光学晶体：铌酸锂、蓝宝石、氟化钙晶体
金属单晶：高温合金涡轮叶片、超纯铜单晶
陶瓷材料：氧化锆、碳化硅结构陶瓷
超导材料：YBCO薄膜、MgB₂块材
检测方法
X射线衍射法（ASTM E1426，GB/T 23413-2009）
透射电子显微术（ISO 16700，GB/T 27788-2011）
阴极荧光光谱（IEC 62805-2，SJ/T 11519-2015）
原子探针层析（ASTM E2859，GB/T 36075-2018）
激光共聚焦显微术（ISO 25178-6，JJF 1912-2021）
检测设备
X射线衍射仪：PANalytical X'Pert³ MRD XL，配备Hybrid Pixel探测器
场发射透射电镜：JEOL JEM-2100F，配备Gatan K2-IS相机
三维原子探针：CAMECA LEAP 5000 XS，空间分辨率0.3 nm
激光共聚焦显微镜：Keyence VK-X3000，Z轴重复精度±1 nm
阴极发光系统：Gatan MonoCL4，光谱范围200-1600 nm