检测项目

晶体结构缺陷分析（晶格畸变率≤0.15%，晶面间距偏差≤0.02Å）

位错密度检测（分辨率≥10³ cm⁻²，误差范围±5%）

点缺陷浓度测定（检测限0.1 ppm，能谱分辨率≤1.0 eV）

晶界特性表征（晶界角测量精度±0.5°，相纯度≥99.9%）

表面缺陷检测（检测尺度≥10 nm，三维重构精度±2 nm）

检测范围

半导体材料：硅单晶、砷化镓、氮化镓晶圆

光学晶体：铌酸锂、蓝宝石、氟化钙晶体

金属单晶：高温合金涡轮叶片、超纯铜单晶

陶瓷材料：氧化锆、碳化硅结构陶瓷

超导材料：YBCO薄膜、MgB₂块材

检测方法

X射线衍射法（ASTM E1426，GB/T 23413-2009）

透射电子显微术（ISO 16700，GB/T 27788-2011）

阴极荧光光谱（IEC 62805-2，SJ/T 11519-2015）

原子探针层析（ASTM E2859，GB/T 36075-2018）

激光共聚焦显微术（ISO 25178-6，JJF 1912-2021）

检测设备

X射线衍射仪：PANalytical X'Pert³ MRD XL，配备Hybrid Pixel探测器

场发射透射电镜：JEOL JEM-2100F，配备Gatan K2-IS相机

三维原子探针：CAMECA LEAP 5000 XS，空间分辨率0.3 nm

激光共聚焦显微镜：Keyence VK-X3000，Z轴重复精度±1 nm

阴极发光系统：Gatan MonoCL4，光谱范围200-1600 nm