检测项目
晶格畸变率（测量范围：±5%，分辨率0.1%）
剪切应变分布（检测精度：±0.2μm/m）
位错密度（量程：106-1012 cm-2）
晶界迁移率（测试温度范围：25-1200℃）
弹性模量变化（动态测量频率：0.1-100Hz）
检测范围
高温合金（如Inconel 718、Hastelloy X）
半导体单晶材料（Si、GaN、SiC）
陶瓷基复合材料（Al2O3/SiCf）
高分子取向结晶材料（UHMWPE、PTFE）
纳米多层膜结构（TiN/AlN、Cu/Nb）
检测方法
ASTM E112-13 晶粒度测定方法
ISO 643:2020 钢的奥氏体晶粒度测定
GB/T 13298-2015 金属显微组织检验方法
ASTM E2448-18 电子背散射衍射（EBSD）标准
ISO 24173:2009 微束分析电子背散射衍射指南
检测设备
扫描电子显微镜（SEM）：JEOL JSM-7900F，配备Oxford Instruments EBSD探测器，可实现50nm空间分辨率晶格取向分析
透射电子显微镜（TEM）：FEI Tecnai G2 F30，0.2nm点分辨率下进行原子级晶格畸变测量
X射线衍射仪（XRD）：Bruker D8 Discover，配备VANTEC-500探测器，可检测0.001°角度偏移
纳米压痕仪：Hysitron TI 950，最大载荷30mN，位移分辨率0.02nm
电子背散射衍射系统：Oxford Instruments Symmetry，支持1000fps高速面扫描