切变晶格检测

检测项目

晶格畸变率（测量范围：±5%，分辨率0.1%）

剪切应变分布（检测精度：±0.2μm/m）

位错密度（量程：10⁶-10¹² cm^-2）

晶界迁移率（测试温度范围：25-1200℃）

弹性模量变化（动态测量频率：0.1-100Hz）

检测范围

高温合金（如Inconel 718、Hastelloy X）

半导体单晶材料（Si、GaN、SiC）

陶瓷基复合材料（Al₂O₃/SiC_f）

高分子取向结晶材料（UHMWPE、PTFE）

纳米多层膜结构（TiN/AlN、Cu/Nb）

检测方法

ASTM E112-13 晶粒度测定方法

ISO 643:2020 钢的奥氏体晶粒度测定

GB/T 13298-2015 金属显微组织检验方法

ASTM E2448-18 电子背散射衍射（EBSD）标准

ISO 24173:2009 微束分析电子背散射衍射指南

检测设备

扫描电子显微镜（SEM）：JEOL JSM-7900F，配备Oxford Instruments EBSD探测器，可实现50nm空间分辨率晶格取向分析

透射电子显微镜（TEM）：FEI Tecnai G2 F30，0.2nm点分辨率下进行原子级晶格畸变测量

X射线衍射仪（XRD）：Bruker D8 Discover，配备VANTEC-500探测器，可检测0.001°角度偏移

纳米压痕仪：Hysitron TI 950，最大载荷30mN，位移分辨率0.02nm

电子背散射衍射系统：Oxford Instruments Symmetry，支持1000fps高速面扫描

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"切变晶格检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。