位错反应检测

检测项目

1.位错密度测定：测量范围10⁶-10¹²cm^-2，误差≤5%

2.位错类型鉴别：区分刃型/螺型/混合型位错，伯氏矢量精度0.01nm

3.位错分布均匀性：采用SEM/EBSD统计网格偏差率（≤15%）

4.位错运动激活能：通过热激活分析测定0.1-5.0eV范围

5.位错反应能量计算：基于DFT模拟界面能变化（0.05eV/atom）

检测范围

1.金属结构材料：铝合金（AA2024/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、不锈钢（316L/304）

2.半导体单晶：硅晶圆（<100>/<111>取向）、GaAs衬底、碳化硅晶锭

3.高温合金：镍基超合金（Inconel718）、钴基耐磨合金（Stellite6B）

4.陶瓷材料：氧化铝结构陶瓷（Al₂O₃>99%）、氮化硅轴承球

5.薄膜涂层：PVD硬质涂层（TiN/TiAlN）、热障涂层（YSZ）

检测方法

1.ASTME3-11透射电子显微镜法：薄区厚度＜100nm时分辨率达0.14nm

2.ISO22278-2020X射线衍射法：采用Cu-Kα辐射（λ=0.15406nm）测定晶格畸变

3.GB/T39498-2020电子背散射衍射技术：步长0.05-1μm的取向成像分析

4.ASTMF2631-18原子力显微镜法：接触模式力常数0.2N/m精度

5.GB/T35031-2018同步辐射原位观测：束流能量8-20keV可调谐X射线源

检测设备

1.FEITecnaiG2F30TEM：场发射枪300kV，配备GatanOriusSC200相机

2.ZeissSigma500SEM：GeminiII镜筒，EBSD分辨率≤3nm@15kV

3.BrukerD8ADVANCEXRD：Vantec-500探测器，角度重复性0.0001

4.ShimadzuAIM-9000AFM：扫描范围9090μm²,Z轴噪声＜0.03nm

5.TSLOIMAnalysisv8：EBSD数据采集系统，支持Hough变换索引算法

6.GatanK3IS相机：直接电子探测TEM相机，帧率40fps@4k分辨率

7.OxfordInstrumentsAZtecHKL：实时EBSD相位识别系统（含200+物相库）

8.JEOLJEM-ARM300FSTEM：原子级分辨率(0.08nm)，配备双球差校正器

9.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD：PIXcel3D探测器，动态范围10⁷:1

10.HysitronTIPremier纳米压痕仪：最大载荷30mN,位移分辨率0.02nm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"位错反应检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。