检测项目

正向压降（VF）：测试条件IF=10mA时典型值0.3-1.1V

反向击穿电压（VBR）：施加IR=100μA时击穿阈值≥50V

反向漏电流（IR）：25℃/VR=80%VBR时≤5μA

结电容（Cj）：1MHz频率下测量值≤50pF

热阻（RθJC）：功率耗散1W时温升≤80℃/W

检测范围

硅整流二极管：1N4007系列等工频电路应用

肖特基二极管：SS34等高频开关电源器件

稳压二极管：1N4728A系列电压基准元件

快恢复二极管：FR307等逆变电路核心组件

发光二极管：5mm直插式LED光电参数测试

检测方法

正向压降测试：IEC60747-1第5.3条款/GB/T6571-20146.2.2

反向特性测试：JESD22-A115D标准脉冲法测量

热阻测试：MIL-STD-750F方法3172稳态测温

结电容测量：GB/T4586-94高频LCR桥接法

高温反偏试验：JEDECJESD22-A108E1000小时加速老化

检测设备

KeysightB1505A功率器件分析仪：IV/CV曲线扫描精度0.05%

TektronixDMM4040六位半万用表：最小分辨率10nA/100μV

Chroma19032耐压测试仪：0-5kV可编程直流源

FLUKE289真有效值示波表：带宽200MHz波形采集

ESPECPL-3KFP恒温箱：-70℃~+180℃温控系统

Agilent4284ALCR表：20Hz-1MHz阻抗分析模块

NIPXIe-4143源测量单元：四象限电源同步采集

YOKOGAWAWT1800功率分析仪：0.05%基波精度测量