检测项目

集电极-基极击穿电压（BV_CBO）：100-500V范围测试

热阻系数（R_θJC）：0.5-5.0K/W区间测量

反向漏电流（I_CEO）：nA级精度检测

截止频率（f_T）：1MHz-10GHz频段分析

封装气密性：氦质谱检漏≤1×10^-9 Pa·m³/s

检测范围

高温环境用半导体器件（工作温度≥200℃）

高频功率放大器模块

电力电子转换器IGBT组件

微电子机械系统（MEMS）热电器件

光电子集成模块热管理单元

检测方法

电性能测试：IEC 60747-1（分立器件通用标准）

热特性分析：ASTM E1461（激光闪射法热扩散率）

材料表征：GB/T 1551-2009（硅单晶电阻率测定）

可靠性试验：JESD22-A108E（温度循环测试）

封装检测：GJB 548B-2005（微电子器件试验方法）

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持pA级电流测量

NETZSCH LFA 467热特性测试系统：温度范围-120~500℃

Agilent N5245A矢量网络分析仪：10MHz至50GHz频段

ULVAC D-08氦质谱检漏仪：灵敏度1×10^-12 Pa·m³/s

ESPEC T-42-80温度冲击试验箱：转换时间≤15秒

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与热电子晶体管检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。