检测项目
电阻率测试：测量范围0.001-1000Ωcm，精度1%
载流子浓度分析：霍尔效应法测定10^10-10^20cm^-3浓度区间
晶体缺陷密度检测：X射线衍射法识别位错密度（＜10^4cm^-2）
表面粗糙度评估：原子力显微镜测量Ra值（0.1-10nm）
氧/碳杂质含量测定：二次离子质谱法（SIMS）检出限0.1ppb
检测范围
单晶硅片（直径300mm以下）
锗基半导体材料（纯度≥99.9999%）
砷化镓晶圆（厚度100-1000μm）
碳化硅衬底（4H/6H晶型）
磷化铟基板（载流子迁移率＞4000cm/Vs）
检测方法
ASTMF76：霍尔效应测试标准方法
ISO14707：辉光放电质谱法测定痕量杂质
GB/T1551：半导体单晶电阻率直流四探针法
GB/T23413-2009：X射线衍射法晶体缺陷分析
IEC60749-4：半导体器件湿热环境可靠性测试
检测设备
LucasLabs3020四探针电阻率测试仪：支持0.1mΩcm-10kΩcm量程
ThermoScientificApreo2扫描电子显微镜：分辨率0.7nm@15kV
BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：角度重复性0.0001
Agilent5500原子力显微镜：Z轴分辨率0.05nm
CamecaIMS7f-AutoSIMS：质量分辨率M/ΔM＞20,000
LakeShore8404霍尔效应测试系统：磁场强度2T0.05%
PerkinElmerOptima8300ICP-OES：波长范围165-900nm
TencorP-17表面轮廓仪：垂直分辨率0.1
OxfordInstrumentsPlasmaPro100GD-MS：检出限达ppt级
Keithley4200A-SCS参数分析仪：电流测量精度0.3fA