元素半导体检测

检测项目

电阻率测试：测量范围0.001-1000Ωcm，精度1%

载流子浓度分析：霍尔效应法测定10^10-10^20cm^-3浓度区间

晶体缺陷密度检测：X射线衍射法识别位错密度（＜10^4cm^-2）

表面粗糙度评估：原子力显微镜测量Ra值（0.1-10nm）

氧/碳杂质含量测定：二次离子质谱法（SIMS）检出限0.1ppb

检测范围

单晶硅片（直径300mm以下）

锗基半导体材料（纯度≥99.9999%）

砷化镓晶圆（厚度100-1000μm）

碳化硅衬底（4H/6H晶型）

磷化铟基板（载流子迁移率＞4000cm/Vs）

检测方法

ASTMF76：霍尔效应测试标准方法

ISO14707：辉光放电质谱法测定痕量杂质

GB/T1551：半导体单晶电阻率直流四探针法

GB/T23413-2009：X射线衍射法晶体缺陷分析

IEC60749-4：半导体器件湿热环境可靠性测试

检测设备

LucasLabs3020四探针电阻率测试仪：支持0.1mΩcm-10kΩcm量程

ThermoScientificApreo2扫描电子显微镜：分辨率0.7nm@15kV

BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：角度重复性0.0001

Agilent5500原子力显微镜：Z轴分辨率0.05nm

CamecaIMS7f-AutoSIMS：质量分辨率M/ΔM＞20,000

LakeShore8404霍尔效应测试系统：磁场强度2T0.05%

PerkinElmerOptima8300ICP-OES：波长范围165-900nm

TencorP-17表面轮廓仪：垂直分辨率0.1

OxfordInstrumentsPlasmaPro100GD-MS：检出限达ppt级

Keithley4200A-SCS参数分析仪：电流测量精度0.3fA

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"元素半导体检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。