检测项目
1.载流子浓度分布：测量范围1E14-1E19cm⁻，精度3%
2.界面缺陷密度：分辨率≥1E10cm⁻eV⁻
3.能带偏移量：测试精度0.02eV
4.异质结势垒高度：量程0.1-2.5eV
5.热稳定性测试：温度范围-196℃~300℃，控温精度0.5℃
检测范围
1.GaAs基双异质结激光器
2.InP/InGaAsP光通信器件
3.GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)
4.钙钛矿/硅叠层太阳能电池
5.ZnO/Ga₂O₃紫外探测器
检测方法
ASTMF76-08(2016)：半导体异质结电学特性测试规范
ISO14707:2015辉光放电光谱法界面元素分析
GB/T1551-2021半导体材料载流子浓度测定方法
IEC60749-28:2017热特性测试标准
GB/T35011-2018半导体器件能带结构表征技术导则
检测设备
1.Keithley4200-SCS：半导体参数分析系统（I-V/C-V特性测试）
2.BrukerDimensionIcon：原子力显微镜（表面形貌与电势分布）
3.ThermoFisherScientificESCALABXi+：X射线光电子能谱仪（界面化学态分析）
4.AgilentB1500A：精密阻抗分析仪（高频特性测试）
5.OxfordInstrumentsMicrostatHiResⅡ：低温变温测试系统（77-500K）
6.HoribaLabRAMHREvolution：显微拉曼光谱仪（应力与晶格匹配分析）
7.VeecoDektakXT：台阶仪（膜厚测量精度0.1）
8.KeysightB2902A：精密源表（低噪声电学测量）
9.JEOLJEM-ARM300F：球差校正透射电镜（原子级界面观测）
10.BrukerD8Discover：高分辨率X射线衍射仪（晶格失配度测量）