偏上生长检测概述:检测项目1.晶体取向偏差:测量晶面(100)/(111)轴向偏移角(精度0.05)2.表面粗糙度Ra值:检测范围0.01-10μm(符合ISO4287)3.层间结合力:测试梯度压力0-200MPa(ASTMD3165)4.热膨胀系数:温度范围-196℃~1200℃(GB/T4339)5.微观孔隙率:分辨率达50nm(SEM观测标准ISO16700)检测范围1.半导体晶圆外延层生长缺陷2.CVD/PVD工艺制备的金属涂层3.3D打印钛合金骨骼支架结构4.光伏电池硅基薄膜叠层5.高温合金涡轮叶片定向凝固组织检
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.晶体取向偏差:测量晶面(100)/(111)轴向偏移角(精度0.05)
2.表面粗糙度Ra值:检测范围0.01-10μm(符合ISO4287)
3.层间结合力:测试梯度压力0-200MPa(ASTMD3165)
4.热膨胀系数:温度范围-196℃~1200℃(GB/T4339)
5.微观孔隙率:分辨率达50nm(SEM观测标准ISO16700)
1.半导体晶圆外延层生长缺陷
2.CVD/PVD工艺制备的金属涂层
3.3D打印钛合金骨骼支架结构
4.光伏电池硅基薄膜叠层
5.高温合金涡轮叶片定向凝固组织
1.X射线衍射法:ASTME1426测定晶体错配度
2.白光干涉术:GB/T29557表面三维形貌重建
3.纳米压痕法:ISO14577测量弹性模量梯度
4.聚焦离子束切割:GB/T30067截面制备规范
5.EBSD电子背散射衍射:ISO24173取向成像分析
1.BrukerD8ADVANCEXRD:配备LYNXEYEXE探测器,角度重复性0.0001
2.ZygoNewView9000:12nm垂直分辨率白光干涉仪
3.KeysightG200纳米压痕仪:最大载荷500mN,位移分辨率0.01nm
4.FEIHeliosG4UX双束电镜:5nm束斑直径FIB系统
5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD:全自动菊池花样采集系统
6.MitutoyoSJ-410轮廓仪:0.01μm触针式粗糙度测量
7.NetzschDIL402C膨胀仪:氦气环境热变形分析
8.OlympusLEXTOLS5000激光显微镜:12000光学放大倍数
9.Agilent5500AFM:非接触模式表面拓扑成像
10.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD:实时原位高温附件系统
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与偏上生长检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。