偏上生长检测

检测项目

1.晶体取向偏差：测量晶面(100)/(111)轴向偏移角（精度0.05）

2.表面粗糙度Ra值：检测范围0.01-10μm（符合ISO4287）

3.层间结合力：测试梯度压力0-200MPa（ASTMD3165）

4.热膨胀系数：温度范围-196℃~1200℃（GB/T4339）

5.微观孔隙率：分辨率达50nm（SEM观测标准ISO16700）

检测范围

1.半导体晶圆外延层生长缺陷

2.CVD/PVD工艺制备的金属涂层

3.3D打印钛合金骨骼支架结构

4.光伏电池硅基薄膜叠层

5.高温合金涡轮叶片定向凝固组织

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME1426测定晶体错配度

2.白光干涉术：GB/T29557表面三维形貌重建

3.纳米压痕法：ISO14577测量弹性模量梯度

4.聚焦离子束切割：GB/T30067截面制备规范

5.EBSD电子背散射衍射：ISO24173取向成像分析

检测设备

1.BrukerD8ADVANCEXRD：配备LYNXEYEXE探测器，角度重复性0.0001

2.ZygoNewView9000：12nm垂直分辨率白光干涉仪

3.KeysightG200纳米压痕仪：最大载荷500mN，位移分辨率0.01nm

4.FEIHeliosG4UX双束电镜：5nm束斑直径FIB系统

5.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD：全自动菊池花样采集系统

6.MitutoyoSJ-410轮廓仪：0.01μm触针式粗糙度测量

7.NetzschDIL402C膨胀仪：氦气环境热变形分析

8.OlympusLEXTOLS5000激光显微镜：12000光学放大倍数

9.Agilent5500AFM：非接触模式表面拓扑成像

10.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD：实时原位高温附件系统

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"偏上生长检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。