铩检测概述:检测项目1.铯含量测定:采用ICP-OES/MS法测定0.001-99.99%浓度范围2.氧化物杂质分析:XRF法检测Cs₂O含量精度0.02wt%3.晶格常数测量:XRD分析(2θ=10-90)精度0.0001nm4.热膨胀系数测试:DIL402C测定20-800℃范围CTE值5.电导率测试:四探针法测量0.01-1000S/m区间精度1%6.耐腐蚀性评估:按GB/T10124进行盐雾试验(5%NaCl,35℃)检测范围1.铯金属及合金材料(纯度≥99.9%)2.氧化铯陶瓷基复合材料3.铯基半导体晶圆(
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.铯含量测定:采用ICP-OES/MS法测定0.001-99.99%浓度范围
2.氧化物杂质分析:XRF法检测Cs₂O含量精度0.02wt%
3.晶格常数测量:XRD分析(2θ=10-90)精度0.0001nm
4.热膨胀系数测试:DIL402C测定20-800℃范围CTE值
5.电导率测试:四探针法测量0.01-1000S/m区间精度1%
6.耐腐蚀性评估:按GB/T10124进行盐雾试验(5%NaCl,35℃)
1.铯金属及合金材料(纯度≥99.9%)
2.氧化铯陶瓷基复合材料
3.铯基半导体晶圆(直径≤200mm)
4.光电转换器件中的铯化合物涂层
5.核工业用铯源密封容器组件
6.含铯化工催化剂颗粒(粒径50-500μm)
ASTME1479-16《电感耦合等离子体原子发射光谱法》
ISO11885:2007《水质-电感耦合等离子体质谱法》
GB/T223.5-2008《钢铁及合金化学分析方法还原型硅钼酸盐光度法》
GB/T4334-2020《金属和合金的腐蚀均匀腐蚀全浸试验方法》
JISH7505:2016《金属材料热膨胀系数测定方法》
ASTMF1529-00(2018)《半导体材料电阻率测试标准》
ThermoFisheriCAPRQICP-MS:痕量元素分析(检出限0.1ppt)
BrukerD8ADVANCEXRD:晶体结构分析(角度重复性0.0001)
NETZSCHDIL402C膨胀仪:热膨胀系数测量(分辨率0.125nm)
Agilent7900ICP-MS:高灵敏度同位素分析(质量范围2-260amu)
KeysightB2902A精密源表:纳米级电导率测试(最小电流100fA)
Q-FOGCCT1100盐雾箱:复合腐蚀环境模拟(温度控制0.5℃)
MalvernMastersizer3000:粒径分布分析(测量范围0.01-3500μm)
PerkinElmerSTA8000同步热分析仪:TG-DSC联用(升温速率0.01-100℃/min)
BrukerS8TIGERXRF光谱仪:元素快速筛查(检出限ppm级)
ThermoScientificGDS850A辉光放电质谱仪:深度剖面分析(深度分辨率1nm)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与铩检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。