检测项目

1.栅极电压波动范围：0.5V~50V（DC/AC复合模式）
2.频率响应带宽：1MHz-40GHz（-3dB衰减点）
3.上升/下降时间：≤100ps（10%-90%阈值）
4.相位噪声谱密度：-150dBc/Hz@1GHz（偏移1kHz）
5.动态阻抗特性：0.1Ω-10kΩ（1MHz-10GHz扫频）

检测范围

1.硅基功率MOSFET（650V/1200V等级）
2.碳化硅(SiC)肖特基二极管
3.氮化镓(GaN)射频晶体管
4.IGBT模块（双极型绝缘栅）
5.MEMS谐振器栅极结构

检测方法

ASTMF42-18(2022)半导体器件动态参数测试规程
ISO16700:2020微束分析-电子探针临界尺寸测量
GB/T17573-202X半导体器件分立器件和集成电路第6部分：栅控器件
IEC60749-27:2020半导体器件机械和气候试验方法
JESD22-A114F静电放电敏感度测试

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪（200A/10kV脉冲测试）
2.TektronixMSO64B示波器（8GHz带宽/25GS/s采样）
3.Rohde&SchwarzFSW67信号分析仪（67GHz实时频谱分析）
4.Keithley4200A-SCS参数分析系统（0.1fA分辨率）
5.FormFactorCM300xi探针台（300mm晶圆级测试）
6.AdvantestT6573高密度逻辑测试机
7.ThermoFisherHeliosG4UX聚焦离子束系统
8.BrukerDimensionIcon原子力显微镜
9.AgilentN6705C直流电源分析模块
10.CascadeSummit12000AP微波探针站