检测项目
1.阈值电压（Vth）：测量范围20V，分辨率0.1mV
2.漏极饱和电流（Idss）：量程1nA-10A，误差≤0.5%
3.跨导参数（gm）：测试频率DC-1MHz，精度1%
4.亚阈值摆幅（SS）：斜率分析范围60-200mV/decade
5.栅极泄漏电流（Ig）：灵敏度0.1pA级测量能力
检测范围
1.硅基MOSFET器件（平面型/FinFET结构）
2.宽禁带半导体器件（GaNHEMT、SiCMOSFET）
3.有机薄膜晶体管（OTFT）
4.存储器单元晶体管（3DNANDFlash）
5.射频功率放大器（LDMOS/CMOS）
检测方法
ASTMF1249：场效应晶体管直流参数测试规范
ISO16700：半导体器件静态特性测量程序
GB/T17573-2021：半导体器件分立器件和集成电路测试方法规范
GB/T4586-2017：双极型晶体管测试方法
JEDECJESD24：功率MOSFET特性表征标准
检测设备
KeysightB1500A：半导体器件分析仪，支持DC-IV/CV测量
Tektronix4200A-SCS：多通道参数测试系统，集成脉冲IV功能
Keithley2636B：双通道源表模块，最小电流分辨率0.1fA
CascadeSummit12000B-M：探针台系统，支持300mm晶圆测试
AgilentE4980A：精密LCR表，频率范围20Hz-2MHz
AdvantestT2000：SoC测试平台，集成动态负载模块
FormFactorCM300xi：低温探针台（-60℃~300℃温控）
Rohde&SchwarzRTP164：高速示波器（16GHz带宽）
NIPXIe-4143：模块化源测量单元（SMU）阵列
HORIBAHCS-3：霍尔效应测试系统（磁场强度1.5T）