检测项目

1.阈值电压（Vth）：测量范围20V，分辨率0.1mV

2.漏极饱和电流（Idss）：量程1nA-10A，误差≤0.5%

3.跨导参数（gm）：测试频率DC-1MHz，精度1%

4.亚阈值摆幅（SS）：斜率分析范围60-200mV/decade

5.栅极泄漏电流（Ig）：灵敏度0.1pA级测量能力

检测范围

1.硅基MOSFET器件（平面型/FinFET结构）

2.宽禁带半导体器件（GaNHEMT、SiCMOSFET）

3.有机薄膜晶体管（OTFT）

4.存储器单元晶体管（3DNANDFlash）

5.射频功率放大器（LDMOS/CMOS）

检测方法

ASTMF1249：场效应晶体管直流参数测试规范

ISO16700：半导体器件静态特性测量程序

GB/T17573-2021：半导体器件分立器件和集成电路测试方法规范

GB/T4586-2017：双极型晶体管测试方法

JEDECJESD24：功率MOSFET特性表征标准

检测设备

KeysightB1500A：半导体器件分析仪，支持DC-IV/CV测量

Tektronix4200A-SCS：多通道参数测试系统，集成脉冲IV功能

Keithley2636B：双通道源表模块，最小电流分辨率0.1fA

CascadeSummit12000B-M：探针台系统，支持300mm晶圆测试

AgilentE4980A：精密LCR表，频率范围20Hz-2MHz

AdvantestT2000：SoC测试平台，集成动态负载模块

FormFactorCM300xi：低温探针台（-60℃~300℃温控）

Rohde&SchwarzRTP164：高速示波器（16GHz带宽）

NIPXIe-4143：模块化源测量单元（SMU）阵列

HORIBAHCS-3：霍尔效应测试系统（磁场强度1.5T）