检测项目
1.费米能级位置测定：精度0.05eV
2.导带/价带占有率分析：分辨率0.01eV
3.载流子浓度测量：范围1E14~1E21cm⁻
4.缺陷态密度计算：误差≤5%
5.表面态能级分布：深度分辨率0.1nm
检测范围
1.III-V族半导体材料（GaAs,InP等）
2.钙钛矿光伏材料（MAPbI3,CsPbBr3等）
3.高温超导材料（YBCO,Bi-2212等）
4.过渡金属催化剂（Pt/C,Co3O4等）
5.光学镀膜材料（TiO2,SiO2多层膜）
检测方法
1.X射线光电子能谱法：ISO15472:2010表面化学分析标准
2.紫外光电子能谱法：ASTME2108-16表面电子态测试规范
3.扫描隧道谱技术：GB/T35032-2018纳米材料表征规程
4.光致发光光谱法：GB/T39144-2020半导体材料测试标准
5.霍尔效应测试法：IEC62805-1:2017载流子迁移率测量规范
检测设备
1.ThermoScientificK-AlphaXPS系统：配备单色化AlKα光源（1486.6eV）
2.SPECSPHOIBOS150UPS分析仪：紫外光源能量分辨率0.01eV
3.BrukerDimensionIconSTM：原子级表面态扫描精度0.02nm
4.HoribaLabRAMHREvolutionPL光谱仪：光谱分辨率0.35cm⁻
5.LakeShore8404霍尔测试系统：磁场强度1.8T可调
6.KeysightB1500A半导体分析仪：最小电流分辨率0.1fA
7.OxfordInstrumentsOptistatCF低温恒温器：温度范围1.5K~475K
8.Agilent4155C参数分析仪：支持四探针电阻率测量
9.JEOLJAMP-9500FAuger微探针：空间分辨率≤6nm
10.ParkSystemsNX20AFM：非接触模式形貌扫描精度0.1nm