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概述:检测项目1.费米能级位置测定:精度0.05eV2.导带/价带占有率分析:分辨率0.01eV3.载流子浓度测量:范围1E14~1E21cm⁻4.缺陷态密度计算:误差≤5%5.表面态能级分布:深度分辨率0.1nm检测范围1.III-V族半导体材料(GaAs,InP等)2.钙钛矿光伏材料(MAPbI3,CsPbBr3等)3.高温超导材料(YBCO,Bi-2212等)4.过渡金属催化剂(Pt/C,Co3O4等)5.光学镀膜材料(TiO2,SiO2多层膜)检测方法1.X射线光电子能谱法:ISO15472:2010表
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.费米能级位置测定:精度0.05eV
2.导带/价带占有率分析:分辨率0.01eV
3.载流子浓度测量:范围1E14~1E21cm⁻
4.缺陷态密度计算:误差≤5%
5.表面态能级分布:深度分辨率0.1nm
1.III-V族半导体材料(GaAs,InP等)
2.钙钛矿光伏材料(MAPbI3,CsPbBr3等)
3.高温超导材料(YBCO,Bi-2212等)
4.过渡金属催化剂(Pt/C,Co3O4等)
5.光学镀膜材料(TiO2,SiO2多层膜)
1.X射线光电子能谱法:ISO15472:2010表面化学分析标准
2.紫外光电子能谱法:ASTME2108-16表面电子态测试规范
3.扫描隧道谱技术:GB/T35032-2018纳米材料表征规程
4.光致发光光谱法:GB/T39144-2020半导体材料测试标准
5.霍尔效应测试法:IEC62805-1:2017载流子迁移率测量规范
1.ThermoScientificK-AlphaXPS系统:配备单色化AlKα光源(1486.6eV)
2.SPECSPHOIBOS150UPS分析仪:紫外光源能量分辨率0.01eV
3.BrukerDimensionIconSTM:原子级表面态扫描精度0.02nm
4.HoribaLabRAMHREvolutionPL光谱仪:光谱分辨率0.35cm⁻
5.LakeShore8404霍尔测试系统:磁场强度1.8T可调
6.KeysightB1500A半导体分析仪:最小电流分辨率0.1fA
7.OxfordInstrumentsOptistatCF低温恒温器:温度范围1.5K~475K
8.Agilent4155C参数分析仪:支持四探针电阻率测量
9.JEOLJAMP-9500FAuger微探针:空间分辨率≤6nm
10.ParkSystemsNX20AFM:非接触模式形貌扫描精度0.1nm
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"能阶占有率检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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