检测项目
1.界面陷阱电荷密度（Dit）：测量范围110⁹~110cm⁻eV⁻，精度5%
2.平带电压偏移（ΔVfb）：分辨率0.1mV，温度范围-50℃~300℃
3.阈值电压漂移（ΔVth）：测试频率1kHz~1MHz
4.电容-电压（C-V）迟滞效应：扫描速率0.01~10V/s
5.能级分布谱（E-T谱）：能量分辨率0.01eV
检测范围
1.硅基MOSFET栅氧化层（SiO₂/Si）
2.III-V族化合物半导体异质结（GaN/AlGaN）
3.高k介质材料（HfO₂,ZrO₂）
4.有机薄膜晶体管（OTFT）介电层
5.功率器件SiC/SiO₂界面
检测方法
1.ASTMF1248-16：基于准静态C-V法的界面态密度测量
2.ISO16700:2020：透射电子显微镜电子能量损失谱（EELS）分析
3.GB/T16525-2017：深能级瞬态谱（DLTS）测试规范
4.JESD35-A：电荷泵法（ChargePumping）动态特性测试
5.IEC60749-28:2017：高温栅偏压（HTGB）应力测试
检测设备
1.KeysightB1500A半导体分析仪：支持IV/CV/QLTS多模式测量
2.Agilent4156C精密参数分析仪：0.1fA电流分辨率
3.Keithley4200A-SCS脉冲IV模块：100ns级快速脉冲测试
4.LakeShoreCRX-4K低温探针台：4K~500K温控系统
5.ThermoFisherTalosF200X透射电镜：0.1nm空间分辨率EELS分析
6.AccoFTDL8000深能级瞬态谱仪：10μs~100s时间常数范围
7.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级测试能力
8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：原位等离子体损伤评估
9.HORIBALabRAMHREvolution：微区拉曼应力分析系统
10.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：Kelvin探针力显微技术（KPFM）