界面陷阱电荷检测

检测项目

1.界面陷阱电荷密度（Dit）：测量范围110⁹~110cm⁻eV⁻，精度5%

2.平带电压偏移（ΔVfb）：分辨率0.1mV，温度范围-50℃~300℃

3.阈值电压漂移（ΔVth）：测试频率1kHz~1MHz

4.电容-电压（C-V）迟滞效应：扫描速率0.01~10V/s

5.能级分布谱（E-T谱）：能量分辨率0.01eV

检测范围

1.硅基MOSFET栅氧化层（SiO₂/Si）

2.III-V族化合物半导体异质结（GaN/AlGaN）

3.高k介质材料（HfO₂,ZrO₂）

4.有机薄膜晶体管（OTFT）介电层

5.功率器件SiC/SiO₂界面

检测方法

1.ASTMF1248-16：基于准静态C-V法的界面态密度测量

2.ISO16700:2020：透射电子显微镜电子能量损失谱（EELS）分析

3.GB/T16525-2017：深能级瞬态谱（DLTS）测试规范

4.JESD35-A：电荷泵法（ChargePumping）动态特性测试

5.IEC60749-28:2017：高温栅偏压（HTGB）应力测试

检测设备

1.KeysightB1500A半导体分析仪：支持IV/CV/QLTS多模式测量

2.Agilent4156C精密参数分析仪：0.1fA电流分辨率

3.Keithley4200A-SCS脉冲IV模块：100ns级快速脉冲测试

4.LakeShoreCRX-4K低温探针台：4K~500K温控系统

5.ThermoFisherTalosF200X透射电镜：0.1nm空间分辨率EELS分析

6.AccoFTDL8000深能级瞬态谱仪：10μs~100s时间常数范围

7.CascadeSummit12000探针台：12英寸晶圆级测试能力

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100RIE：原位等离子体损伤评估

9.HORIBALabRAMHREvolution：微区拉曼应力分析系统

10.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：Kelvin探针力显微技术（KPFM）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"界面陷阱电荷检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。