晶体位向检测

检测项目

1.晶面指数偏差测量：测定(100)/(111)等主要晶面与理论值的角度偏差范围0.5以内

2.晶格常数偏差分析：分辨率达0.001的晶格参数波动检测

3.晶界取向差统计：统计5-62范围内的亚晶界和大角度晶界分布比例

4.织构强度系数计算：ODF分析中最大极密度值≥3.0的强织构判定

5.孪晶界面匹配度：Σ3孪晶界面的取向差测量精度0.1

检测范围

1.半导体单晶硅片（300mm直径以下）

2.高温合金涡轮叶片定向凝固组织

3.钛合金轧制板材（厚度0.5-50mm）

4.第三代半导体GaN外延层（厚度1-10μm）

5.形状记忆合金丝材（直径0.1-5mm）

检测方法

1.ASTME2627-19：电子背散射衍射（EBSD）定量分析标准

2.ISO24173:2022：X射线衍射极图测量国际规范

3.GB/T30704-2014：电子衍射晶体学分析方法

4.GB/T38976-2020：硅单晶晶体缺陷测试方法

5.ASTME2382-23：透射菊池衍射（TKD）技术标准

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备9kW旋转阳极光源，最小光斑尺寸50μm

2.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：分辨率0.05，最大采集速度4000点/秒

3.BrukerD8DiscoverGADDS微区衍射仪：配备500μm准直器及二维探测器

4.TESCANMIRA4SEM-EDS/EBSD联用系统：工作电压0.5-30kV可调

5.JEOLJEM-F200场发射透射电镜：配备高速STEM探测器

6.PanalyticalEmpyreanXRD平台：配置高温附件（最高1600℃）

7.EDAVAXHikariPro高速EBSD相机：支持100nm步长连续扫描

8.Brukere-FlashHREBSD探测器：空间分辨率达1nm@15kV

9.ProtoiXRD残余应力分析仪：集成激光定位系统

10.ZeissCrossbeam550FIB-SEM：配备三维EBSD重构模块

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"晶体位向检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。