光致迁动检测概述:检测项目1.光生载流子迁移量:测量光照下电子-空穴对分离效率(单位:cm/Vs)2.瞬态光电流响应:记录10⁻⁹~10⁻秒时间分辨率的电流衰减曲线3.量子效率谱:分析300-1200nm波长范围内的外量子效率(EQE≥85%)4.表面复合速率:通过微波光电导衰减法测定(精度5%)5.能带结构表征:采用紫外光电子能谱(UPS)测定价带偏移量(分辨率0.1eV)检测范围1.III-V族半导体材料(GaAs、InP等)2.钙钛矿光伏组件(MAPbI3、CsPbBr3等)3.有机光电薄膜(P3HT:PCBM体系)
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.光生载流子迁移量:测量光照下电子-空穴对分离效率(单位:cm/Vs)
2.瞬态光电流响应:记录10⁻⁹~10⁻秒时间分辨率的电流衰减曲线
3.量子效率谱:分析300-1200nm波长范围内的外量子效率(EQE≥85%)
4.表面复合速率:通过微波光电导衰减法测定(精度5%)
5.能带结构表征:采用紫外光电子能谱(UPS)测定价带偏移量(分辨率0.1eV)
1.III-V族半导体材料(GaAs、InP等)
2.钙钛矿光伏组件(MAPbI3、CsPbBr3等)
3.有机光电薄膜(P3HT:PCBM体系)
4.光催化纳米材料(TiO2、ZnO基复合材料)
5.量子点发光器件(CdSe/ZnS核壳结构)
1.ASTME2141-21《稳态光照下半导体材料迁移率测试规程》
2.ISO18516:2019《表面光电压法测定载流子扩散长度》
3.GB/T26179-2021《光致发光谱法表征半导体缺陷浓度》
4.IEC60904-8:2014《光伏器件光谱响应度测量》
5.JISK0136-2020《瞬态吸收光谱法测定激发态寿命》
1.Agilent4156C半导体参数分析仪:支持10fA~100mA宽量程电流测量
2.NewportOrielSol3A太阳模拟器:AM1.5G光谱匹配度2%
3.Keithley2636B源测量单元:100nV电压分辨率/10fA电流灵敏度
4.PerkinElmerLambda950紫外可见近红外分光光度计:波长精度0.08nm
5.HamamatsuC12132光电导衰减测试系统:时间分辨率≤50ns
6.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:导电AFM模式空间分辨率1nm
7.KeysightB1500A半导体器件分析仪:支持AC/DCC-V特性测试
8.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪:激光波长325-785nm可调
9.ThermoScientificESCALABXi+X射线光电子能谱仪:能量分辨率<0.45eV
10.PicoQuantFluoTime300时间分辨荧光系统:时间相关单光子计数精度25ps
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与光致迁动检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。