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绕射辐射检测

  • 原创官网
  • 2025-05-27 04:12:38
  • 关键字:绕射辐射测试方法,绕射辐射测试案例,绕射辐射测试仪器
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绕射辐射检测概述:检测项目1.晶格常数测定:精度0.0001nm,覆盖立方/六方/正交晶系2.残余应力分析:测量范围2000MPa,空间分辨率50μm3.织构取向度评估:极图采集角度范围0-360,步长0.024.相组成定量分析:检出限0.5wt%,重复性误差≤1.2%5.薄膜厚度测量:适用10-5000nm膜层,精度1nm6.晶粒尺寸计算:Scherrer方程计算范围5-200nm检测范围1.金属合金:钛合金/铝合金/高温合金的相变过程监测2.半导体材料:SiC/GaN外延层缺陷密度表征3.陶瓷材料:氧化锆/碳化硅的晶界


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检测项目

1.晶格常数测定:精度0.0001nm,覆盖立方/六方/正交晶系

2.残余应力分析:测量范围2000MPa,空间分辨率50μm

3.织构取向度评估:极图采集角度范围0-360,步长0.02

4.相组成定量分析:检出限0.5wt%,重复性误差≤1.2%

5.薄膜厚度测量:适用10-5000nm膜层,精度1nm

6.晶粒尺寸计算:Scherrer方程计算范围5-200nm

检测范围

1.金属合金:钛合金/铝合金/高温合金的相变过程监测

2.半导体材料:SiC/GaN外延层缺陷密度表征

3.陶瓷材料:氧化锆/碳化硅的晶界应力分布

4.高分子聚合物:PE/PP结晶度测定(20-90%范围)

5.复合材料:碳纤维增强环氧树脂界面结合状态分析

6.纳米粉末:TiO2/ZnO粒径分布及团聚效应评估

检测方法

ASTME915:2021残余应力测试的X射线衍射标准方法

ISO20283-5:2017机械振动-半导体器件振动特性测试规范

GB/T13221-2021纳米粉末X射线衍射实验方法

ASTME1426-2014薄膜厚度X射线荧光光谱测定法

GB/T30704-2014金属材料晶体取向电子背散射衍射分析方法

ISO14706:2014表面化学分析-单晶硅表面污染物测定

检测设备

RigakuSmartLabX射线衍射仪:9kW旋转阳极光源,配备HyPix-3000二维探测器

BrukerD8Discover多晶衍射系统:VANTEC-500面探测器,残余应力专用测角仪

MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台:PIXcel3D探测器,高温附件可达1600℃

ThermoFisherARLEQUINOX100X射线衍射仪:微区分析模式最小光斑50μm

ProtoLXRD残余应力分析仪:Ψ测角仪设计,集成激光定位系统

ShimadzuXRD-7000常规衍射仪:θ/θ扫描方式,最大样品重量5kg

BedeD1高分辨衍射仪:四晶单色器设计,角分辨率0.0001

PanalyticalX'Pert3MRDXL薄膜分析系统:五轴样品台配置掠入射附件

BrukerAXSD2PHASER台式衍射仪:LynxEye阵列探测器,快速相分析模式

RigakuUltimaIV多功能衍射仪:交叉光路光学系统,集成小角散射模块

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与绕射辐射检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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