检测项目

载流子浓度检测：范围1×10¹³~1×10¹⁸ cm⁻³，精度±5%

迁移率测试：50~1500 cm²/(V·s)，温度范围77K~400K

缺陷密度分析：分辨率≤1×10¹⁰ cm⁻²，定位精度±0.5μm

热稳定性测试：-65℃~300℃循环，ΔR/R＜0.1%

界面态密度检测：1×10¹⁰~1×10¹³ eV⁻¹cm⁻²，频率1kHz~1MHz

击穿电压测试：0-3000V，漏电流检测限1pA

检测范围

硅基补偿半导体材料（N/P型掺杂浓度1×10¹⁴~5×10¹⁷ atoms/cm³）

砷化镓基高迁移率补偿外延片（厚度2-200μm）

碳化硅功率器件补偿层结构（4H/6H多型体）

磷化铟光电器件补偿界面层（粗糙度＜0.3nm RMS）

氮化镓HEMT器件二维电子气补偿结构（载流子密度1×10¹²~3×10¹³ cm⁻²）

检测方法

霍尔效应测试：ASTM F76，GB/T 1551

深能级瞬态谱法：IEC 60749-32，SJ 21473

扫描电容显微术：ISO 13083，GB/T 35031

光致发光谱分析：ISO 14707，GB/T 3780.8

二次离子质谱法：ASTM E1504，GB/T 17359

热探针测试法：MIL-STD-750，GB/T 4023

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：IV/CV/脉冲测试，0.1fA~1A量程

Thermo Fisher Scios 2 DualBeam FIB-SEM：5nm分辨率EBSD分析

Bruker Dimension Icon原子力显微镜：PeakForce TUNA模式，0.1nN力控

Lake Shore 8400系列霍尔测试系统：1.5T磁场，10mK~800K变温

Horiba LabRAM HR Evolution显微拉曼仪：532/633/785nm多波长激发

Oxford Instruments PlasmaPro 100 ICP-MS：ppt级痕量杂质检测