检测项目

1. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：测量范围1-10 kV，精度±0.5% 2. 结电容（Junction Capacitance）：测试频率1 MHz-1 GHz，分辨率0.1 pF 3. 漏电流（Leakage Current）：检测灵敏度0.1 nA，电压范围0-1000 V 4. 热阻特性（Thermal Resistance）：温控精度±0.1℃，功率加载范围0-500 W 5. 界面态密度（Interface Trap Density）：测试频率1 kHz-1 MHz，最小探测密度1×10⁹ cm⁻²·eV⁻¹

检测范围

1. 硅基半导体器件（Si/SiGe二极管、晶体管） 2. 化合物半导体材料（GaAs、GaN、SiC晶圆） 3. 功率电子器件（IGBT、MOSFET模块） 4. 光电器件（LED芯片、激光二极管） 5. MEMS传感器（压力传感器、加速度计）

检测方法

1. 电学特性检测：ASTM F42-20《半导体材料测试规程》、GB/T 17573-2021《半导体器件分立器件和集成电路》 2. 热特性分析：ISO 22007-4:2017《塑料导热系数测定方法》、GB/T 14278-2018《电子设备散热性能测试方法》 3. 微观结构表征：ISO 21363:2020《纳米技术-透射电子显微镜检测方法》、GB/T 18873-2019《微束分析术语》 4. 失效分析检测：IEC 60749-25:2021《半导体器件机械和气候试验方法》 5. 可靠性验证：JEDEC JESD22-A108F《温度循环试验标准》

检测设备

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与半导体结检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。