成分分布分析:加速电压(5-30kV)、工作距离(5-15mm)、探测器增益(3-8级)
晶粒尺寸测量:分辨率(0.5-5nm)、放大倍数(100x-100,000x)、灰度对比度阈值(±15%)
界面结合状态评估:倾斜角度(0°-70°)、二次电子/背散射电子混合模式、原子序数差异阈值(Z≥2)
表面缺陷检测:缺陷识别精度(≥50nm)、三维景深补偿(±3μm)、伪彩色成像分级
涂层/镀层厚度测定:层厚测量范围(10nm-50μm)、边缘效应校正系数(0.8-1.2)、截面倾斜角度(15°-45°)
金属材料及合金:钛合金相分布、焊接界面扩散层、高温氧化层结构
陶瓷与复合材料:碳化硅纤维增强基体、多层陶瓷电容器界面、热障涂层孔隙率
半导体器件:芯片焊点IMC层、晶圆缺陷定位、封装材料分层分析
矿物与地质样品:矿石成分偏析、陨石冲击变质结构、页岩有机质赋存状态
生物材料:骨植入体表面改性层、齿科材料界面结合、生物陶瓷孔隙连通性
ASTM E986-04:扫描电子显微镜操作标准化规程
ISO 16700:2016:显微分析仪器校准规范
GB/T 17359-2022:微束分析能谱法定量分析通则
GB/T 30551-2014:电子探针显微分析导则
ISO 22493:2014:微束分析扫描电镜背散射电子衍射分析方法
蔡司Sigma 500:配备四象限背散射探测器,支持0-90°倾斜观测,最大分辨率1nm@15kV
FEI Quanta 650 FEG:低真空模式(0.1-400Pa)下实现非导电样品直接观测
日立SU5000:集成冷场发射电子枪,加速电压0.5-30kV连续可调,配备三维重构模块
JEOL JSM-IT800:搭载高灵敏度BSE探测器,支持8通道信号分离,适用于多相材料分析
TESCAN MIRA3:配置双背散射电子探测器,实现原子序数对比度与形貌对比度分离成像
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与背散射电子像检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。