检测项目

1.正电子寿命谱测量：时间分辨率≤200ps，寿命范围0.1-10ns

2.湮灭伽马射线能量分析：能量分辨率≤1.5%@511keV

3.三维动量分布测定：角关联测量精度0.1mrad

4.自旋态占比分析：单态/三重态比例误差≤2%

5.热化过程监测：介质中热化时间测量精度5ps

6.磁场依赖性测试：磁场强度0-1T可调精度0.5%

检测范围

1.硅基半导体晶圆（掺杂浓度1e14-1e20atoms/cm）

2.锗基辐射探测器晶体（纯度≥99.9999%）

3.有机闪烁体材料（衰减时间≤10ns）

4.金属氧化物纳米颗粒（粒径10-100nm）

5.PET医疗成像探测器模块（LYSO:Ce晶体阵列）

6.核反应堆结构材料（Zr合金表面氧化层）

检测方法

ASTME2935-17正电子寿命谱法测定材料缺陷密度

ISO21466:2019慢正电子束表征薄膜界面技术规范

GB/T39142-2020正电子湮没辐射多普勒展宽测试方法

IEC62703-2013液体闪烁体中荧光寿命测量规程

GB/T40152-2021半导体材料中空位型缺陷正电子表征方法

检测设备

1.ORTECGEM60P4-83高纯锗探测器：能量分辨率1.33keV@1.33MeV

2.FASTComTecP7887多通道时间数字转换器：时间精度50ps

3.HamamatsuH3378-25PMT模块