硅片厚度测试

硅片厚度是半导体晶圆的关键几何参数,影响光刻对准与器件一致性,依据GB/T 14140及SEMI M1标准使用接触式/非接触式测厚仪对硅片中心厚度及总厚度偏差(TTV)进行测量。

原创阅读 692026-05-11工程师CMACNASISO高新技术企业

检测项目

1. 硅片中心厚度(典型725μm/450μm)

2. 总厚度偏差TTV(≤2μm)

3. 局部厚度偏差LTV(≤1μm)

4. 翘曲度Warp(≤30μm)

5. 弯曲度Bow(≤15μm)

检测范围

1. 抛光硅片:4寸/6寸/8寸/12寸

2. 外延硅片:4-8寸

3. SOI绝缘体上硅:薄膜层

4. 砷化镓晶圆:2-6寸

5. 碳化硅晶圆:4-6寸

检测方法

1. GB/T 14140-2009 硅片厚度测定

2. GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化

3. SEMI M1-1016 硅晶圆标准规范

4. ASTM F533-17 硅片厚度测量

5. GB/T 11073-2007 硅片几何参数

检测设备

1. KLA-Tencor ASET-F5x薄膜测量仪:非接触测厚

2. MTI Instruments ProGage厚度仪(15-10):接触式

3. Zygo NewView 9000白光干涉仪:表面轮廓

4. ADE UltraGage 9700:TTV测量

5. Tropel FlatMaster:平面度

6. Heidenhain测长仪(ND287):高精度长度

7. Mitutoyo LGF-1100Z测长仪:接触测量

8. Keyence SI-F80激光位移传感器:非接触

9. E-plus MX201厚度测量系统:晶圆专用

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
  • 资质:旗下实验室拥有CMA/CNAS/ISO资质。
  • 标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
  • 非标测试:支持定制化试验方案。
  • 售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

QUALIFICATIONS

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{{ groups[lb.g].items[lb.i].t }}({{ lb.i+1 }} / {{ groups[lb.g].items.length }})

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