半导体指标杂质试验

检测项目

1.痕量元素分析：碱金属杂质，碱土金属杂质，过渡金属杂质，重金属杂质，稀土元素杂质，铀钍放射性杂质。

2.电学特性杂质检测：载流子浓度，电阻率，少数载流子寿命，深能级缺陷浓度，表面复合速度。

3.晶体结构缺陷分析：位错密度，层错密度，氧沉淀浓度，空位团簇浓度，晶格畸变评估。

4.表面与界面污染物分析：有机污染物总量，无机粒子数，金属离子残留量，分子膜厚度，表面碳污染。

5.气体成分与含量分析：间隙氧浓度，替代碳浓度，氮含量，氢含量，氦含量。

6.有机物残留鉴定：光刻胶残留物，溶剂残留物，塑封料析出物，清洗剂残留，增塑剂。

7.同位素丰度分析：硅同位素比值，硼同位素比值，磷同位素比值，锗同位素比值。

8.颗粒度与分布检测：晶圆表面颗粒尺寸分布，工艺液体中颗粒浓度，洁净室空气中颗粒物计数。

9.放射性核素检测：阿尔法粒子发射率，低本底伽马能谱分析，放射性核素比活度。

10.结晶质量评估：晶体取向偏差，单晶性验证，多晶硅晶粒尺寸，外延层厚度与均匀性。

检测范围

硅抛光片、硅外延片、砷化镓晶圆、氮化镓外延层、锗硅衬底、碳化硅单晶、磷化铟衬底、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、高介电常数栅极介质、金属互连层、铜电镀液、化学机械抛光液、光刻胶、超纯化学试剂、特种电子气体、键合丝、封装用环氧树脂、陶瓷封装外壳、芯片粘结材料

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于对材料表面及纵深进行微量元素与同位素的定性与定量分析，具有极高的检测灵敏度与深度分辨率。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定液体或溶解后固体样品中的超痕量金属杂质含量，具备多元素同时分析能力与极低的检出限。

3.全反射X射线荧光光谱仪：专用于硅片等半导体材料表面金属污染的快速、无损检测，对纳米级薄膜表面的痕量元素分析尤为有效。

4.深能级瞬态谱仪：用于表征半导体材料中深能级缺陷的能级位置、浓度和俘获截面，是评估材料电学品质的关键设备。

5.气相色谱-质谱联用仪：用于分离与鉴定半导体工艺环境及材料中残留的挥发性与半挥发性有机污染物。

6.激光散射颗粒计数器：用于实时监测与统计晶圆表面、工艺液体及洁净环境中颗粒的数量与尺寸分布。

7.低温傅里叶变换红外光谱仪：用于精确测定硅中间隙氧、替代碳等轻元素的浓度，以及鉴定薄膜的化学结构与键合状态。

8.高分辨率X射线衍射仪：用于无损评估半导体外延层、衬底的晶体质量、应变状态、厚度及成分梯度，精度可达原子级别。

9.表面光电压测试系统：通过测量表面光生电压来评估半导体材料的少子寿命、表面复合速率及表面能带弯曲状况。

10.放射性低本底阿尔法粒子测量仪：专门用于测量半导体封装材料及工艺环境中放射出的阿尔法粒子数量，以评估其对芯片软错误率的影响。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"半导体指标杂质试验"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。