半导体含量分析

检测项目

1.主成分分析：硅含量，锗含量，镓含量，砷含量，铟含量，磷含量

2.痕量杂质分析：铁杂质，铜杂质，铝杂质，钠杂质，钾杂质，钙杂质

3.掺杂元素分析：硼含量，磷含量，砷含量，锑含量，镓含量，铟含量

4.金属污染分析：镍污染，铬污染，钛污染，钨污染，钼污染，钴污染

5.非金属杂质分析：氧含量，碳含量，氮含量，氢含量，硫含量，氯含量

6.表面污染分析：表面金属残留，表面颗粒附着，表面离子残留，表面有机残留，表面氧化层成分，表面腐蚀产物

7.薄膜成分分析：氧化膜成分，氮化膜成分，金属膜成分，介质膜成分，复合膜成分，膜层元素比例

8.化合物半导体分析：砷化镓组成，氮化镓组成，碳化硅组成，磷化铟组成，氧化锌组成，碲化镉组成

9.微区成分分析：局部元素分布，晶界成分，夹杂物成分，缺陷区成分，异物成分，界面成分

10.离子残留分析：氟离子，氯离子，溴离子，钠离子，铵离子，硫酸根残留

11.腐蚀相关成分分析：腐蚀区域元素组成，腐蚀产物鉴别，失效点成分，迁移物成分，沉积物成分，反应残留成分

12.浆料与药液成分分析：研磨液成分，清洗液残留，蚀刻液残留，显影液残留，剥离液残留，添加剂成分

检测范围

硅单晶、硅晶圆、外延片、抛光片、扩散片、掺杂硅片、绝缘层硅片、碳化硅晶片、氮化镓晶片、砷化镓晶片、磷化铟晶片、半导体薄膜、光刻胶残留样品、金属化层样品、封装引线框架、键合区域样品、芯片切片、失效芯片样品

检测设备

1.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于测定半导体材料中的多种金属元素含量，适合主量与部分微量成分分析。

2.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量及超痕量元素测定，适合杂质控制和高纯材料成分分析。

3.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素的定量分析，可用于杂质元素含量测定。

4.波长色散型荧光光谱仪：用于固体样品中多元素组成分析，适合快速筛查主成分和杂质分布。

5.能量色散型荧光光谱仪：用于样品表面及整体元素组成的快速分析，适用于来样初步成分测定。

6.二次离子质谱仪：用于掺杂元素深度分布分析，可测定薄层及微区成分变化。

7.辉光放电质谱仪：用于高纯半导体材料中痕量杂质元素分析，适合块体和薄层样品测试。

8.扫描电子显微镜联用能谱仪：用于微区形貌观察与局部成分分析，适合缺陷点和异物区域检测。

9.光电子能谱仪：用于样品表面元素组成及化学状态分析，适合表面污染和氧化层研究。

10.离子色谱仪：用于表面离子残留和可溶性阴阳离子测定，适合清洗效果及污染评估。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"半导体含量分析"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。