半导体含量分析

半导体含量分析主要针对半导体材料及相关样品中元素组成、杂质水平、掺杂分布和化学成分进行测定,为材料研发、工艺控制、质量判定及失效研究提供数据依据。检测内容涵盖主量成分、痕量杂质、表面污染、薄膜组成及局部区域成分特征,强调样品适配性、结果准确性与分析重复性。

原创阅读 902026-03-23工程师CMACNASISO高新技术企业

检测项目

1.主成分分析:硅含量,锗含量,镓含量,砷含量,铟含量,磷含量

2.痕量杂质分析:铁杂质,铜杂质,铝杂质,钠杂质,钾杂质,钙杂质

3.掺杂元素分析:硼含量,磷含量,砷含量,锑含量,镓含量,铟含量

4.金属污染分析:镍污染,铬污染,钛污染,钨污染,钼污染,钴污染

5.非金属杂质分析:氧含量,碳含量,氮含量,氢含量,硫含量,氯含量

6.表面污染分析:表面金属残留,表面颗粒附着,表面离子残留,表面有机残留,表面氧化层成分,表面腐蚀产物

7.薄膜成分分析:氧化膜成分,氮化膜成分,金属膜成分,介质膜成分,复合膜成分,膜层元素比例

8.化合物半导体分析:砷化镓组成,氮化镓组成,碳化硅组成,磷化铟组成,氧化锌组成,碲化镉组成

9.微区成分分析:局部元素分布,晶界成分,夹杂物成分,缺陷区成分,异物成分,界面成分

10.离子残留分析:氟离子,氯离子,溴离子,钠离子,铵离子,硫酸根残留

11.腐蚀相关成分分析:腐蚀区域元素组成,腐蚀产物鉴别,失效点成分,迁移物成分,沉积物成分,反应残留成分

12.浆料与药液成分分析:研磨液成分,清洗液残留,蚀刻液残留,显影液残留,剥离液残留,添加剂成分

检测范围

硅单晶、硅晶圆、外延片、抛光片、扩散片、掺杂硅片、绝缘层硅片、碳化硅晶片、氮化镓晶片、砷化镓晶片、磷化铟晶片、半导体薄膜、光刻胶残留样品、金属化层样品、封装引线框架、键合区域样品、芯片切片、失效芯片样品

检测设备

1.电感耦合等离子体发射光谱仪:用于测定半导体材料中的多种金属元素含量,适合主量与部分微量成分分析。

2.电感耦合等离子体质谱仪:用于痕量及超痕量元素测定,适合杂质控制和高纯材料成分分析。

3.原子吸收光谱仪:用于特定金属元素的定量分析,可用于杂质元素含量测定。

4.波长色散型荧光光谱仪:用于固体样品中多元素组成分析,适合快速筛查主成分和杂质分布。

5.能量色散型荧光光谱仪:用于样品表面及整体元素组成的快速分析,适用于来样初步成分测定。

6.二次离子质谱仪:用于掺杂元素深度分布分析,可测定薄层及微区成分变化。

7.辉光放电质谱仪:用于高纯半导体材料中痕量杂质元素分析,适合块体和薄层样品测试。

8.扫描电子显微镜联用能谱仪:用于微区形貌观察与局部成分分析,适合缺陷点和异物区域检测。

9.光电子能谱仪:用于样品表面元素组成及化学状态分析,适合表面污染和氧化层研究。

10.离子色谱仪:用于表面离子残留和可溶性阴阳离子测定,适合清洗效果及污染评估。

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

  • 报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
  • 检测周期:7~15工作日,可加急。
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  • 非标测试:支持定制化试验方案。
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