半导体杂质分析

检测项目

1.金属杂质分析：铁、铜、镍、铬、锌、钠、钾、钙、镁、铝等元素含量测定。

2.非金属杂质分析：氧、碳、氮、硫、磷、硼等杂质元素含量测定。

3.掺杂元素分析：硼掺杂浓度、磷掺杂浓度、砷掺杂浓度、锑掺杂浓度、镓掺杂分布测定。

4.痕量元素分析：痕量重金属、痕量碱金属、痕量过渡金属、微量有害杂质筛查。

5.表面污染分析：颗粒污染、离子污染、有机残留、金属沾污、表面吸附杂质测定。

6.体内杂质分布分析：纵深杂质分布、横向成分分布、界面杂质富集、局部偏析分析。

7.化学纯度分析：主成分纯度、总杂质含量、不挥发残留、可溶性杂质测定。

8.晶体缺陷相关分析：杂质诱导缺陷、沉淀相关杂质、位错区杂质富集、晶界污染分析。

9.薄膜杂质分析：薄膜中金属残留、薄膜中氧碳杂质、界面污染物、膜层成分异常检测。

10.离子污染分析：氯离子、氟离子、钠离子、钾离子、铵根离子等可迁移离子测定。

11.有机污染分析：有机溶剂残留、光刻残留、清洗剂残留、挥发性有机杂质筛查。

12.深能级杂质分析：深能级缺陷中心、复合中心杂质、电活性杂质、载流子俘获相关杂质分析。

检测范围

硅单晶、硅抛光片、硅外延片、绝缘层硅片、化合物半导体晶圆、砷化镓晶片、氮化镓外延片、碳化硅晶片、锗晶片、半导体薄膜、光刻胶残留样品、刻蚀后晶圆、清洗后晶圆、扩散片、离子注入片、金属化层样品、封装芯片、引线框架、键合区域样品、失效器件截面样品

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量和超痕量金属元素测定，适合多元素同时分析。

2.辉光放电质谱仪：用于固体材料中痕量杂质直接分析，可获取较低含量元素数据。

3.二次离子质谱仪：用于杂质元素深度剖析、掺杂分布测定和界面成分分析。

4.原子吸收光谱仪：用于部分金属元素定量分析，适合特定杂质项目测定。

5.气相色谱仪：用于挥发性有机物、残留溶剂及部分有机污染物分析。

6.离子色谱仪：用于阴离子、阳离子及可迁移离子污染物测定。

7.傅里叶变换红外光谱仪：用于有机残留、表面化学基团和部分污染物定性分析。

8.扫描电子显微镜：用于观察表面颗粒污染、缺陷形貌及局部污染分布特征。

9.能谱分析仪：用于微区元素组成分析，可辅助判定局部杂质来源。

10.深能级瞬态谱仪：用于分析半导体材料中的深能级杂质和电活性缺陷特征。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"半导体杂质分析"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。