1.晶体质量分析:
1.III-V族化合物半导体:GaAs/AlGaAs超晶格结构界面陡峭度与组分渐变控制
2.II-VI族光电材料:ZnSe/CdTe量子阱的激子束缚能及缺陷态密度测定
3.硅基异质外延层:Ge/Si应变弛豫度与位错滑移带分布分析
4.拓扑绝缘体薄膜:Bi2Se3表面态狄拉克锥完整性验证
5.磁性异质结体系:(Ga,Mn)As薄膜磁各向异性与居里温度关联测试
6.氮化物半导体:GaN/AlN界面极化电场强度计算与应力释放评估
7.低维量子结构:InAs量子点尺寸分布均匀性(σ≤5%)及面密度控制
8.氧化物外延薄膜:SrTiO3/LaAlO3二维电子气输运特性表征
9.锑化物红外材料:InAs/GaSbII类超晶格截止波长一致性测试(λCUTOFF=4-12μm0.1μm)
10.稀释磁性半导体:(Be,Mn)ZnO薄膜载流子-自旋耦合效率评估
国际标准:
1.反射高能电子衍射仪:STAIBRHEED-2000型(电子枪能量20keV,条纹分辨率0.02-1)
2.X射线衍射系统:BrukerD8Discover型(四圆测角器角度重复性0.0001)
3.低温强磁场霍尔测试仪:QuantumDesignPPMS-9T型(温度范围1.9-400K,B场精度0.05%)
<6>.光致发光谱仪:EdinburghInstrumentsFLS1000(光谱分辨率0.02nm,液氦闭循环恒温器) <7>.分子束源校准系统:VeecoBeamFluxMonitor(K-cell温度稳定性0.1℃,束流密度测量误差≤2%) <8>.超高真空分析联用系统:OmicronMULTIPROBEUHV(基础真空510^-11mbar,集成XPS/AES/LEED模块)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与分子束外延检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。