检测项目

触发电流（5-100mA）与触发电压（0.5-3V）的阈值精度检测

维持电流（10mA-5A）的动态稳定性测试

反向重复峰值电压（200-3000V）击穿特性检测

通态峰值压降（1.0-3.5V）的导通损耗分析

温升特性测试（-40℃~150℃环境下的热阻参数）

检测范围

双向可控硅（TRIAC）调压模块

快速可控硅（SCR）整流装置

高压可控硅串联组（≥6kV）

光控可控硅触发系统

模块化电源组件（IPM、PIM封装）

检测方法

触发特性检测：IEC 60747-6标准脉冲法（脉宽≥20μs）

耐压测试：GB/T 16927.1-2011工频电压耐受试验

通态压降测量：GB/T 15291-2013四线制直流测试法

热阻分析：ASTM D5470稳态热流法

动态dv/dt检测：ISO 7637-2瞬态电压冲击试验

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪（最大3000V/1500A）

Tektronix PA3000高压差分探头（带宽100MHz，10kV隔离）

Chroma 19032功率循环测试系统（±40V/±20A脉冲输出）

Fluke Ti450红外热像仪（热灵敏度≤0.03℃）

HIOKI PW3390功率分析仪（0.1%精度，5MHz带宽）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与可控硅场电源检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。