


晶向偏差检测:±0.5°内,X射线衍射法测量
位错密度分析:≤500 cm²,化学腐蚀-金相显微镜法
电阻率测试:0.001-100 Ω·cm,四探针法测量
表面粗糙度检测:Ra≤0.2 μm,白光干涉仪测量
氧含量测定:5-25 ppma,红外吸收光谱法
半导体材料:单晶硅、碳化硅(SiC)晶锭
光学晶体:蓝宝石(Al₂O₃)、氟化钙(CaF₂)基片
压电晶体:石英、铌酸锂(LiNbO₃)晶圆
超硬晶体:金刚石、立方氮化硼(cBN)基体
化合物半导体:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)衬底
X射线衍射法:ASTM F26 / GB/T 23413-2009
金相腐蚀法:GB/T 1554-2020 / ASTM F47
四探针法:ASTM F84 / GB/T 1552-2022
轮廓仪法:ISO 4287 / GB/T 10610-2018
红外光谱法:ASTM F1188 / GB/T 1558-2021
X射线衍射仪:Bede D1,晶向偏差及晶格常数测定
金相显微镜:Olympus BX53M,位错密度观测(5000×)
四探针测试仪:Keithley 2450,电阻率测量(0.1μΩ·cm分辨率)
白光干涉轮廓仪:Bruker Dektak XT,表面形貌3D重建(0.1nm垂直分辨率)
傅里叶红外光谱仪:Thermo Nicolet iS50,氧碳含量检测(检测限0.1ppma)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与"晶坯检测"相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。
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