检测项目
晶向偏差检测：±0.5°内，X射线衍射法测量
位错密度分析：≤500 cm²，化学腐蚀-金相显微镜法
电阻率测试：0.001-100 Ω·cm，四探针法测量
表面粗糙度检测：Ra≤0.2 μm，白光干涉仪测量
氧含量测定：5-25 ppma，红外吸收光谱法
检测范围
半导体材料：单晶硅、碳化硅（SiC）晶锭
光学晶体：蓝宝石（Al₂O₃）、氟化钙（CaF₂）基片
压电晶体：石英、铌酸锂（LiNbO₃）晶圆
超硬晶体：金刚石、立方氮化硼（cBN）基体
化合物半导体：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）衬底
检测方法
X射线衍射法：ASTM F26 / GB/T 23413-2009
金相腐蚀法：GB/T 1554-2020 / ASTM F47
四探针法：ASTM F84 / GB/T 1552-2022
轮廓仪法：ISO 4287 / GB/T 10610-2018
红外光谱法：ASTM F1188 / GB/T 1558-2021
检测设备
X射线衍射仪：Bede D1，晶向偏差及晶格常数测定
金相显微镜：Olympus BX53M，位错密度观测（5000×）
四探针测试仪：Keithley 2450，电阻率测量（0.1μΩ·cm分辨率）
白光干涉轮廓仪：Bruker Dektak XT，表面形貌3D重建（0.1nm垂直分辨率）
傅里叶红外光谱仪：Thermo Nicolet iS50，氧碳含量检测（检测限0.1ppma）