检测项目

阈值电压漂移（Vth Shift）：±0.1V至±0.3V范围监测

漏电流（IDSS）变化率：10nA至100μA精度测量

跨导（gm）衰减度：0.5mS至200mS动态范围

热载流子注入效应（HCI）：ΔRon/Ron初始值≥15%判定失效

栅氧化层击穿电压（Vbd）：400V至1200V耐压测试

检测范围

硅基MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）

氮化镓（GaN）HEMT晶体管

绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块

CMOS集成电路中的P/N沟道晶体管

碳化硅（SiC）功率晶体管模块

检测方法

高温反偏（HTRB）测试：ASTM F1245标准，150℃/80%额定电压持续1000小时

温度循环（TCT）试验：ISO 16750-4规范，-55℃~150℃循环200次

高加速寿命试验（HALT）：GB/T 4587要求，多应力综合加速老化

时变介质击穿（TDDB）测试：JESD92标准，栅极恒压应力监测

动态参数退化分析：GB/T 17573规定的开关特性测试规程

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A参数测试

ThermoStream T-2600温度冲击试验箱：-75℃~+225℃快速温变

Agilent 4156C精密半导体分析仪：0.1fA分辨率电流测量

Tektronix PA3000功率分析仪：带宽50MHz的动态参数采集

ESPEC EHS-211M环境应力筛选箱：复合温湿度循环控制