检测项目
阈值电压（Vth）：0.1-1000 V，±0.5%精度
电流密度-电压（J-V）特性：10-12-10-2 A/cm²
载流子迁移率（μ）：10-8-10-2 cm²/(V·s)
陷阱密度（Nt）：1016-1020 cm-3
空间电荷分布：0.1-100 μm深度分辨率
检测范围
有机半导体薄膜：厚度50 nm-5 μm
聚合物绝缘材料：体积电阻率≥1014 Ω·cm
钙钛矿光伏材料：带隙1.2-2.3 eV
纳米复合电介质：填料粒径10-500 nm
氧化物半导体器件：工作温度-196-300℃
检测方法
ASTM Fxxxx：空间电荷限制电流法标准测试规程
ISO 17849：固体电介质载流子迁移率测定方法
GB/T 26176-2010：电子材料空间电荷效应测试通则
GB 31241-2014：半导体器件电流-电压特性测试规范
IEC 62631-3-2：介电材料电荷输运特性评估标准
检测设备
Keysight B1500A半导体分析仪：支持10 fA-1 A电流测量
Keithley 4200A-SCS参数分析仪：集成CV/IV/LIV测试模块
Agilent 4155C精密源表：最小电压分辨率1 μV
Hewlett Packard 4140B微安表：0.1 pA-10 mA量程
Semilab SDI-1000电荷分布测试系统：支持非接触式表面电位测量