检测项目

阈值电压（Vth）：1.5-5V，±2%误差范围

导通电阻（RDS(on)）：0.5-50mΩ，测试电流10-100A

栅极漏电流（IGSS）：≤1μA@VGS=±20V

开关时间（ton/toff）：50ns-5μs，负载条件25℃/125℃

击穿电压（VBR）：600-6500V，耐压测试±5%精度

检测范围

硅基IGBT（Si-IGBT）模块

碳化硅（SiC）MOSFET器件

氮化镓（GaN）功率晶体管

智能功率模块（IPM）

高压集成电路（HVIC）

检测方法

阈值电压检测：IEC 60747-9:2019 静态特性测试法

导通电阻检测：ASTM F76-08 稳态电流法

栅极漏电流检测：GB/T 4587-1994 高阻计测量规范

开关特性检测：JEDEC JESD24-7 双脉冲测试法

击穿电压检测：ISO 16750-2:2012 阶梯升压法

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持1700V/1500A参数测试

Tektronix PA3000高压差分探头：带宽200MHz，耐压6kV

Chroma 19032功率循环测试机：最大电流300A，温度循环-55~175℃

Agilent 4339B高阻计：测量范围103-1016Ω

FLIR A655sc红外热像仪：热灵敏度＜30mK，用于热阻测试