检测项目
阈值电压（Vth）：1.5-5V，±2%误差范围
导通电阻（RDS(on)）：0.5-50mΩ，测试电流10-100A
栅极漏电流（IGSS）：≤1μA@VGS=±20V
开关时间（ton/toff）：50ns-5μs，负载条件25℃/125℃
击穿电压（VBR）：600-6500V，耐压测试±5%精度
检测范围
硅基IGBT（Si-IGBT）模块
碳化硅（SiC）MOSFET器件
氮化镓（GaN）功率晶体管
智能功率模块（IPM）
高压集成电路（HVIC）
检测方法
阈值电压检测：IEC 60747-9:2019 静态特性测试法
导通电阻检测：ASTM F76-08 稳态电流法
栅极漏电流检测：GB/T 4587-1994 高阻计测量规范
开关特性检测：JEDEC JESD24-7 双脉冲测试法
击穿电压检测：ISO 16750-2:2012 阶梯升压法
检测设备
Keysight B1505A功率器件分析仪：支持1700V/1500A参数测试
Tektronix PA3000高压差分探头：带宽200MHz，耐压6kV
Chroma 19032功率循环测试机：最大电流300A，温度循环-55~175℃
Agilent 4339B高阻计：测量范围103-1016Ω
FLIR A655sc红外热像仪：热灵敏度＜30mK，用于热阻测试