检测项目
载流子浓度检测：测量范围1E14~1E19 cm⁻³，误差≤±5%
载流子迁移率分析：测试条件300K~500K，精度±2 cm²/(V·s)
禁带宽度测定：光谱范围200~2500 nm，分辨率0.1 eV
介电常数测试：频率1kHz~1MHz，温度稳定性±0.5%
热导率检测：温度范围-50~300℃，测量精度±3%
检测范围
III-V族化合物半导体：GaAs、InP、GaN等
II-VI族宽禁带半导体：ZnO、CdS、ZnSe等
氧化物半导体：TiO₂、SnO₂、WO₃等
有机半导体材料：并五苯、酞菁铜等
异质结结构材料：AlGaN/GaN、SiC/Si等
检测方法
霍尔效应测试：ASTM F76，GB/T 13392
紫外-可见分光光度法：ISO 21501，GB/T 9721
四探针电阻率测试：ASTM F84，GB/T 1551
热扩散法热导率检测：ISO 22007，GB/T 3651
椭圆偏振光谱分析：ISO 14762，GB/T 18901
检测设备
Keithley 4200A-SCS参数分析仪：支持DC~1MHz电学参数测试
Agilent Cary 7000紫外可见分光光度计：波长范围190~3300 nm
Linseis LFA 1000激光导热仪：温度范围-120~500℃
Horiba UVISEL 2椭圆偏振仪：光谱范围190~2100 nm
Lake Shore 8400系列霍尔测试系统：磁场强度0~2T，温度范围10~400K