检测项目
电阻率测试：测量范围1×10⁻⁸~1×10¹⁶ Ω·cm（直流四探针法/高阻计法）
介电常数与损耗角正切：频率范围20Hz~1MHz（LCR表法）
击穿电压强度：测试电压0~100kV（阶梯升压法）
载流子迁移率：霍尔效应测试（磁场强度0.5T）
热电系数：温差范围-150~300℃（稳态法）
检测范围
半导体材料：硅基器件、GaN薄膜、有机半导体
绝缘材料：环氧树脂、陶瓷基板、聚酰亚胺薄膜
导电高分子材料：PEDOT:PSS、聚苯胺复合材料
压电陶瓷：PZT系列、钛酸钡基材料
热电材料：Bi₂Te₃合金、方钴矿化合物
检测方法
ASTM D257-14：绝缘材料直流电阻测试标准
IEC 60243-1:2013：固体绝缘材料电气强度测定
GB/T 1409-2006：高频下介电性能测试方法
ISO 22007-4:2017：热电材料塞贝克系数测定
GB/T 13301-2019：霍尔效应半导体参数测量规范
检测设备
KEITHLEY 2450源表：支持四探针法电阻率测量（分辨率0.1fA）
Agilent 4294A阻抗分析仪：频率精度±0.05%（4Hz~110MHz）