失效分析

检测项目

1.电性能测试：直流参数测试、交流参数测试、端口特性分析、漏电流测试、击穿电压测试。

2.外观检查：宏观形貌观察、封装完整性检查、标识清晰度判定、污染与腐蚀状况评估。

3.内部结构分析：芯片开封、内部引线键合检查、芯片粘接界面观察、分层与空洞检测。

4.显微结构分析：金相切片制备、显微组织观察、晶粒尺寸测量、缺陷与夹杂物分析。

5.表面元素分析：表面污染物鉴定、镀层成分分析、氧化膜厚度与成分测定、元素面分布扫描。

6.微观形貌分析：微观裂纹观察、熔融痕迹分析、电极损耗形貌、界面分层形貌。

7.晶体结构分析：晶相鉴定、晶格常数测量、结晶度分析、应力与应变评估。

8.热学性能分析：热阻测试、玻璃化转变温度测定、热膨胀系数测量、热重分析。

9.机械性能测试：键合强度测试、剪切力测试、硬度测试、残余应力分析。

10.环境可靠性验证：高温高湿试验、温度循环试验、机械振动试验、盐雾腐蚀试验。

11.失效机理判定：电过应力分析、静电放电损伤判定、金属电迁移分析、应力迁移失效研判。

12.化学成分剖析：体材料主成分分析、微量掺杂元素测定、有机污染物定性定量。

检测范围

集成电路芯片、半导体分立器件、片式电阻电容、电感元件、连接器与接插件、印刷电路板、发光二极管、传感器、微机电系统、电源模块、陶瓷基板、晶振、滤波器、继电器、保险丝、晶体管、二极管、磁性元件、光电耦合器、混合集成电路

检测设备

1.扫描电子显微镜：用于高倍率观察样品表面及断口的微观形貌，具备高景深与高分辨率特点；可配备能谱仪进行微区元素分析。

2. X射线检测系统：用于对样品进行无损内部成像，检查引线键合、芯片粘接、封装气泡、裂纹等内部缺陷。

3.半导体参数分析仪：用于精确测量晶体管、二极管等半导体器件的各项直流与低频交流电学参数，评估其电气性能。

4.聚焦离子束系统：用于对集成电路特定区域进行纳米级的精确定位切割与截面制备，便于后续的显微结构与成分分析。

5.红外热像仪：用于测量器件在工作状态下的表面温度分布，定位过热区域，分析热设计缺陷或内部短路点。

6.显微红外光谱仪：用于对微小区域的有机污染物、封装材料、残留物等进行定性鉴定与成分分析。

7.超声波扫描显微镜：利用高频超声波探测材料内部界面，无损检测封装内部的分层、空洞、裂纹等缺陷。

8.探针台系统：与测试仪器联用，通过微探针与芯片上的焊盘或电路节点直接接触，进行晶圆级或开封后的芯片电性能测试。

9.热重与差热分析仪：用于分析材料在程序控温下的质量变化与热效应，评估材料的热稳定性、分解温度及相变过程。

10.金相试样制备设备：包含切割、镶嵌、研磨、抛光、腐蚀等模块，用于制备满足显微观察要求的平整、无损伤的样品截面。

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是与"失效分析"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检检测技术研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。