检测项目

漏电流测试：测量范围0.1pA-10μA，分辨率0.01pA

绝缘电阻测试：DC 100V-1000V下测量10^6-10^16Ω

介质损耗角正切值（tanδ）：频率1kHz-1MHz时精度±0.0001

表面电荷密度：测量范围1×10^3-1×10^12 e/cm²

极化/去极化电流：时间常数0.1s-1000s，电压范围±5kV

检测范围

半导体材料：硅晶圆、GaN衬底、碳化硅功率器件

电子元件：MLCC电容器、薄膜电阻器、高频电感器

绝缘材料：聚酰亚胺薄膜、陶瓷基板、环氧树脂封装体

新能源器件：锂离子电池隔膜、燃料电池质子交换膜

光学器件：光电二极管阵列、CMOS图像传感器

检测方法

ASTM F1241：半导体材料表面漏电流测试规范

IEC 62631-3-1：固体绝缘材料体积电阻率测定方法

GB/T 1410-2006：绝缘材料表面电阻试验方法

ISO 1853：导电橡胶体积电阻率测试规程

JIS C2138：介质材料损耗角正切值测定标准

检测设备

Keysight B2987A静电计：分辨率0.1fA，支持10^17Ω高阻测量

Trek Model 347高压源表：输出±10kV/20mA，集成电荷测量模块

Hioki IM3590阻抗分析仪：频率范围0.01Hz-200kHz，基本精度±0.05%

Cascade Summit 12000探针台：支持12英寸晶圆级接触式测量

SUSS MicroTec PA300探针系统：温度控制范围-65℃~300℃