晶体缺陷密度:位错密度≤104 cm-2,层错密度≤5×103 cm-1
晶格常数偏差:XRD半峰宽(FWHM)≤0.02°(Cu-Kα)
晶界分布特性:晶界角度偏差±0.5°,晶粒尺寸均匀性CV≤15%
表面完整性:粗糙度Ra≤0.1μm,亚表面损伤层深度<200nm
残余应力分布:压应力<200MPa,拉应力<150MPa
半导体材料:单晶硅(111)/(100)晶向、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)
光学晶体:蓝宝石(α-Al2O3)、氟化钙(CaF2)、铌酸锂(LiNbO3)
金属材料:钛合金(Ti-6Al-4V)、镍基高温合金(Inconel 718)
陶瓷材料:氧化铝(Al2O3)基板、氮化硅(Si3N4)轴承
功能晶体:压电晶体(PZT-5H)、闪烁晶体(Ce:LYSO)
X射线衍射法(XRD):ASTM E915-20/GB/T 8362-2018
电子背散射衍射(EBSD):ISO 24173:2021/GB/T 41076-2021
激光共聚焦显微镜:ASTM F1811-22/GB/T 35171-2017
拉曼光谱法:ASTM E1840-21/GB/T 30544.7-2020
残余应力测试:ASTM E2860-23/GB/T 32073-2015
Bruker D8 ADVANCE XRD系统:配备LynxEye XE-T探测器,角度分辨率0.0001°
Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器:空间分辨率达50nm@20kV
Zeiss LSM 980激光共聚焦显微镜:Z轴分辨率0.8nm@405nm波长
Renishaw inVia Qontor拉曼光谱仪:光谱分辨率<0.35cm-1
Proto iXRD残余应力分析仪:Ψ角测量范围±45°,精度±10MPa
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与晶体完整检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。