1.晶体结构完整性分析:通过X射线衍射(XRD)测定晶面间距偏差(0.001nm)与取向偏移角(≤0.5)。
2.晶格畸变率检测:采用电子背散射衍射(EBSD)量化局部晶格畸变率(范围0.1%-5%)。
3.位错密度测量:基于透射电子显微镜(TEM)计算单位面积位错线数量(10^4-10^8/cm)。
4.残余应力分布测试:利用拉曼光谱法测定应力梯度(精度10MPa)。
5.表面粗糙度与缺陷扫描:原子力显微镜(AFM)分析表面起伏高度(分辨率0.1nm)。
1.半导体单晶硅片(直径200-300mm)的位错网络评估。
2.光学级氟化钙(CaF₂)晶体的残余应力分布检测。
3.高温合金涡轮叶片的晶格畸变率验证。
4.氮化镓(GaN)外延层晶体完整性分析。
5.压电陶瓷材料的畴结构缺陷筛查。
1.X射线衍射法:ASTME1426-14测定多晶材料晶格常数偏差。
2.电子背散射衍射:ISO24173:2009规范晶粒取向统计方法。
3.透射电子显微术:GB/T27788-2020位错密度定量分析标准。
4.拉曼光谱应力分析:GB/T36075-2018非破坏性应力测试规程。
5.原子力显微测量:ISO11039:2012表面形貌三维重构技术。
1.RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备9kW旋转阳极靶,支持高分辨率θ-2θ扫描。
2.ThermoFisherApreo2扫描电镜:搭载EDAXVelocityEBSD系统,空间分辨率1.5nm。
3.JEOLJEM-ARM300F透射电镜:球差校正技术实现0.08nm点分辨率。
4.RenishawinViaQontor拉曼光谱仪:532/785nm双激光源,光谱范围100-4000cm⁻。
5.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:峰值力轻敲模式,Z轴噪声<0.05nm。
6.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD系统:配置PIXcel3D探测器,扫描速度1000/min。
7.ZeissCrossbeam550FIB-SEM联用系统:支持30kV聚焦离子束原位样品制备。
8.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器:最大采集速率4000点/秒
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与不整形晶体检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。